JPH07287387A - ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法Info
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- JPH07287387A JPH07287387A JP1712695A JP1712695A JPH07287387A JP H07287387 A JPH07287387 A JP H07287387A JP 1712695 A JP1712695 A JP 1712695A JP 1712695 A JP1712695 A JP 1712695A JP H07287387 A JPH07287387 A JP H07287387A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハーフトーン型位相シフトマスクを用い感光
膜パターンを形成する際、非露光領域で感光膜の一定厚
さが露光し除去されるのを防止するために改良されたハ
ーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。 【構成】 非露光領域には光遮断膜を形成し、露光領域
と非露光領域の境界面に位相シフト膜パターンを形成
し、その上部に光の透過率が５〜２０％程度を有する光
透過性膜パターンを備えている。これにより、非露光領
域の感光膜パターンが、エッジ部分で薄くならないよう
になり、エッチングやイオン注入工程の際、下層の損傷
が防がれ素子の工程収率及び信頼性が向上する。
膜パターンを形成する際、非露光領域で感光膜の一定厚
さが露光し除去されるのを防止するために改良されたハ
ーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。 【構成】 非露光領域には光遮断膜を形成し、露光領域
と非露光領域の境界面に位相シフト膜パターンを形成
し、その上部に光の透過率が５〜２０％程度を有する光
透過性膜パターンを備えている。これにより、非露光領
域の感光膜パターンが、エッジ部分で薄くならないよう
になり、エッチングやイオン注入工程の際、下層の損傷
が防がれ素子の工程収率及び信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハーフトーン型位相シフ
トマスク及びその製造方法に関し、特に露光領域と非露
光領域の境界部に位相シフト膜パターン及びハーフトー
ン光透過膜パターンを形成し、非露光領域には光遮断膜
パターンを備える微細コンタクトホール形成に有利なハ
ーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法に関す
るものである。
トマスク及びその製造方法に関し、特に露光領域と非露
光領域の境界部に位相シフト膜パターン及びハーフトー
ン光透過膜パターンを形成し、非露光領域には光遮断膜
パターンを備える微細コンタクトホール形成に有利なハ
ーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体装置の軽薄短小化の趨勢に
より配線間の距離が減少すると共に、階差が増加し、ト
ランジスタやキャパシター等のような単位素子の大きさ
も減少し、パターンの微細化が次第に加速されている。
より配線間の距離が減少すると共に、階差が増加し、ト
ランジスタやキャパシター等のような単位素子の大きさ
も減少し、パターンの微細化が次第に加速されている。
【０００３】一般的にパターン形成のための露光工程の
際に用いられる露光マスクは、石英基板にクロムやアル
ミニウム等で光遮断膜を塗布した後、イオンビームエッ
チングにより光遮断膜パターンを形成して作製される。
しかし、このような露光マスクでは光分解能以下の微細
パターンの形成が困難であり、現在用いられる通常の感
光液及び露光装備では０．５μｍ以下の微細パターンを
得ることが不可能である。
際に用いられる露光マスクは、石英基板にクロムやアル
ミニウム等で光遮断膜を塗布した後、イオンビームエッ
チングにより光遮断膜パターンを形成して作製される。
しかし、このような露光マスクでは光分解能以下の微細
パターンの形成が困難であり、現在用いられる通常の感
光液及び露光装備では０．５μｍ以下の微細パターンを
得ることが不可能である。
【０００４】さらに、６４Ｍディーラム以上の超高集積
素子等では０．４μｍ以下の微細パターンが要求され、
このような極微細パターンは高解像度の感光膜パターン
を得ることができる位相シフトマスクにより実現されて
いる。
素子等では０．４μｍ以下の微細パターンが要求され、
このような極微細パターンは高解像度の感光膜パターン
を得ることができる位相シフトマスクにより実現されて
いる。
【０００５】前記位相シフトマスクは、露光マスクの光
遮断膜パターン等と共に光の位相を１８０゜反転させる
位相シフト膜を形成し、露光工程の際、ウェーハ上に照
射される光の振幅を一定に維持し、位相シフト膜を通過
した光と隣接パターンを通過した光との干渉による露光
効果が最小になるようにして感光膜パターンの解像度を
向上させる原理を用いたものである。
遮断膜パターン等と共に光の位相を１８０゜反転させる
位相シフト膜を形成し、露光工程の際、ウェーハ上に照
射される光の振幅を一定に維持し、位相シフト膜を通過
した光と隣接パターンを通過した光との干渉による露光
効果が最小になるようにして感光膜パターンの解像度を
向上させる原理を用いたものである。
【０００６】このような位相シフトマスクは入射する光
の波長λに対して屈折率ｎである位相シフト物質を光の
位相が１６０〜２００°程度反転させる厚さに形成し、
感光膜に照射されるコントラスト（Contrast）比を大き
くした。例えば入射光がＧ−ライン又はＩ−ラインであ
り、位相シフト物質としてエス．オ．ジ．（spin ongla
ss : 以下SOG と称する）、酸化膜又は窒化膜等を用い
る場合に前記位相シフト物質を３４００〜４０００オン
グストローム程度の厚さで形成すれば良い。この位相シ
フトマスクを用いると、従来の感光膜及び露光装備を用
いて０．３μｍ以下の微細パターンも形成することがで
きる。
の波長λに対して屈折率ｎである位相シフト物質を光の
位相が１６０〜２００°程度反転させる厚さに形成し、
感光膜に照射されるコントラスト（Contrast）比を大き
くした。例えば入射光がＧ−ライン又はＩ−ラインであ
り、位相シフト物質としてエス．オ．ジ．（spin ongla
ss : 以下SOG と称する）、酸化膜又は窒化膜等を用い
る場合に前記位相シフト物質を３４００〜４０００オン
グストローム程度の厚さで形成すれば良い。この位相シ
フトマスクを用いると、従来の感光膜及び露光装備を用
いて０．３μｍ以下の微細パターンも形成することがで
きる。
【０００７】図１は、従来のハーフトーン型位相シフト
マスクの断面図で、透明基板、例えば石英基板（１１）
上の非露光領域上にハーフトーン光透過膜（１３）パタ
ーンと位相シフト膜（１５）が形成されたものを示す。
したがって、前記ハーフトーン光透過膜（１３）パター
ンと位相シフト膜（１５）パターンのない領域が露光領
域になる。前記ハーフトーン光透過膜（１３）パターン
は、クロム又は酸化アルミニウム等の光遮断物質による
膜で、入射する光の５〜２０％ほどが透過するよう厚さ
を薄く塗布する。
マスクの断面図で、透明基板、例えば石英基板（１１）
上の非露光領域上にハーフトーン光透過膜（１３）パタ
ーンと位相シフト膜（１５）が形成されたものを示す。
したがって、前記ハーフトーン光透過膜（１３）パター
ンと位相シフト膜（１５）パターンのない領域が露光領
域になる。前記ハーフトーン光透過膜（１３）パターン
は、クロム又は酸化アルミニウム等の光遮断物質による
膜で、入射する光の５〜２０％ほどが透過するよう厚さ
を薄く塗布する。
【０００８】前記のようなハーフトーン型位相シフトマ
スクを透過する光の強さは前記露光領域の中心部分で最
大であり、前記露光領域と非露光領域の境界面で強度が
０となり、また非露光領域でも入射する光の強さの５〜
２０％程度になる。
スクを透過する光の強さは前記露光領域の中心部分で最
大であり、前記露光領域と非露光領域の境界面で強度が
０となり、また非露光領域でも入射する光の強さの５〜
２０％程度になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】よって、図１に示す従
来ハーフトーン型位相シフトマスクを用いてポジティブ
感光膜パターンを形成する場合、図２に示すように非露
光領域で感光膜の一定厚さが露光され現像工程を進める
際除去され段差が形成される。このように段差が発生し
た感光膜パターンをエッチング又はイオン注入マスクに
用いる場合、下部層に望まれていない損傷が発生した
り、甚だしくは断線し半導体素子の工程収率及び信頼性
を低下する問題点がある。
来ハーフトーン型位相シフトマスクを用いてポジティブ
感光膜パターンを形成する場合、図２に示すように非露
光領域で感光膜の一定厚さが露光され現像工程を進める
際除去され段差が形成される。このように段差が発生し
た感光膜パターンをエッチング又はイオン注入マスクに
用いる場合、下部層に望まれていない損傷が発生した
り、甚だしくは断線し半導体素子の工程収率及び信頼性
を低下する問題点がある。
【００１０】本発明は前記のような問題点を解決するた
め、露光領域と非露光領域の境界部に位相シフト膜パタ
ーン及びハーフトーン光透過膜パターンを積層し、非露
光領域には光遮断膜パターンを備えるようにして微細コ
ンタクトホール形成に有利なハーフトーン型位相シフト
マスク及び、その製造方法を提供することにその目的が
ある。
め、露光領域と非露光領域の境界部に位相シフト膜パタ
ーン及びハーフトーン光透過膜パターンを積層し、非露
光領域には光遮断膜パターンを備えるようにして微細コ
ンタクトホール形成に有利なハーフトーン型位相シフト
マスク及び、その製造方法を提供することにその目的が
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するための本発明によるハーフトーン型位相シフトマス
クの特徴は、透明基板上の非露光領域には光遮断パター
ンが形成され、前記非露光領域と露光領域の境界部には
位相シフト膜パターンとハーフトーン光透過膜パターン
が積層され、露光領域は透明基板が露出するよう備えら
れるものである。
するための本発明によるハーフトーン型位相シフトマス
クの特徴は、透明基板上の非露光領域には光遮断パター
ンが形成され、前記非露光領域と露光領域の境界部には
位相シフト膜パターンとハーフトーン光透過膜パターン
が積層され、露光領域は透明基板が露出するよう備えら
れるものである。
【００１２】本発明の異なる目的を達成するための本発
明によるハーフトーン型位相シフトマスク製造方法の特
徴は、透明基板上に位相シフト膜とハーフトーン光透過
膜を順次形成する工程と、前記ハーフトーン光透過膜と
位相シフト膜で露光領域に予定した部分を順次取り除き
ハーフトーン光透過膜パターンと位相シフト膜パターン
を形成する工程と、前記構造の全表面にネガティブ感光
膜を塗布する工程と、前記感光膜の露光に必要なエネル
ギーより高いエネルギーで後面露光し前記露光領域と近
接したハーフトーン光透過膜部分の上側を覆う感光膜パ
ターンを形成する工程と、前記感光膜パターンをマスク
にして前記露出しているハーフトーン光透過膜パターン
と位相シフト膜パターンを順次取り除き、前記露光領域
と近接した部分だけに所定の幅でハーフトーン光透過膜
パターンと位相シフト膜パターンが残るようにする工程
と、前記構造の全表面に光遮断膜を塗布する工程と、前
記感光膜パターンとその上部の光遮断膜を除去する工程
を含む。
明によるハーフトーン型位相シフトマスク製造方法の特
徴は、透明基板上に位相シフト膜とハーフトーン光透過
膜を順次形成する工程と、前記ハーフトーン光透過膜と
位相シフト膜で露光領域に予定した部分を順次取り除き
ハーフトーン光透過膜パターンと位相シフト膜パターン
を形成する工程と、前記構造の全表面にネガティブ感光
膜を塗布する工程と、前記感光膜の露光に必要なエネル
ギーより高いエネルギーで後面露光し前記露光領域と近
接したハーフトーン光透過膜部分の上側を覆う感光膜パ
ターンを形成する工程と、前記感光膜パターンをマスク
にして前記露出しているハーフトーン光透過膜パターン
と位相シフト膜パターンを順次取り除き、前記露光領域
と近接した部分だけに所定の幅でハーフトーン光透過膜
パターンと位相シフト膜パターンが残るようにする工程
と、前記構造の全表面に光遮断膜を塗布する工程と、前
記感光膜パターンとその上部の光遮断膜を除去する工程
を含む。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例によりハーフトーン型
位相シフトマスク及びその製造段階を添付図を参照して
詳しく説明する。
位相シフトマスク及びその製造段階を添付図を参照して
詳しく説明する。
【００１４】図３は、本発明によるハーフトーン型位相
シフトマスクの断面図であり、透明基板、例えば石英基
板（２１）上の非露光領域に光遮断物質、例えばクロム
等でなる光遮断膜（２４）パターンが形成され、露光領
域と非露光領域の境界部に位相シフト膜（２５）パター
ン及びハーフトーン光透過膜（２３）パターンを積層し
たものを示す。
シフトマスクの断面図であり、透明基板、例えば石英基
板（２１）上の非露光領域に光遮断物質、例えばクロム
等でなる光遮断膜（２４）パターンが形成され、露光領
域と非露光領域の境界部に位相シフト膜（２５）パター
ン及びハーフトーン光透過膜（２３）パターンを積層し
たものを示す。
【００１５】前記位相シフト膜（２５）は、例えばＳＯ
Ｇ酸化膜または窒化膜等で形成する。前記ハーフトーン
型光透過膜（２３）はクロム又は酸化アルミニウムで形
成するが、入射光の５〜２０％が透過するよう所定厚
さ、例えば１００〜１５０オングストローム程度に形成
する。
Ｇ酸化膜または窒化膜等で形成する。前記ハーフトーン
型光透過膜（２３）はクロム又は酸化アルミニウムで形
成するが、入射光の５〜２０％が透過するよう所定厚
さ、例えば１００〜１５０オングストローム程度に形成
する。
【００１６】前記のハーフトーン型位相シフトマスクを
用いて露光すれば、非露光領域に対する露光効果が０に
なるので、感光膜パターンの一定厚さが露光により除去
されるのを防止して微細なコンタクトホールの形成を有
利にする。
用いて露光すれば、非露光領域に対する露光効果が０に
なるので、感光膜パターンの一定厚さが露光により除去
されるのを防止して微細なコンタクトホールの形成を有
利にする。
【００１７】前記のようなハーフトーン型位相シフトマ
スクの製造工程を図４乃至図９を参照し考察すれば次の
通りである。
スクの製造工程を図４乃至図９を参照し考察すれば次の
通りである。
【００１８】まず、透明基板、例えば石英基板（２１）
上に酸化膜や窒化膜、又は、SOG でなる位相シフト膜
（２５）を形成した後、前記位相シフト膜（２５）上に
所定厚さ、例えば光を５〜１０％程度透過させる１００
〜１５０オングストローム程度の厚さになるようクロム
や酸化アルミニウム等でハーフトーン光透過膜（２５）
を形成する（図４参照）。
上に酸化膜や窒化膜、又は、SOG でなる位相シフト膜
（２５）を形成した後、前記位相シフト膜（２５）上に
所定厚さ、例えば光を５〜１０％程度透過させる１００
〜１５０オングストローム程度の厚さになるようクロム
や酸化アルミニウム等でハーフトーン光透過膜（２５）
を形成する（図４参照）。
【００１９】次に、露光領域の前記ハーフトーン光透過
膜（２３）と位相シフト膜（２５）を順次イオンビーム
でエッチングし、非露光領域にハーフトーン光透過膜
（２３）パターンと位相シフト膜（２５）パターンを形
成する。（図５参照）その後、前記構造の全表面に露光
領域がパターンになるネガティブ型感光膜（２８）を塗
布した後、後面から前記感光膜（２８）の露光に必要な
エネルギーより高いエネルギーの光で露光すれば、前記
光がクロム層（２３）パターンのエッジ部分で回折され
前記ハーフトーン光透過膜（２３）パターンエッジ部分
上の感光膜（２８）が露光し、この感光膜（２８）を現
像すれば、ハーフトーン光透過膜（２３）パターンのエ
ッジ部分上側と露光領域を覆う感光膜（２８）パターン
が形成される（図６参照）。
膜（２３）と位相シフト膜（２５）を順次イオンビーム
でエッチングし、非露光領域にハーフトーン光透過膜
（２３）パターンと位相シフト膜（２５）パターンを形
成する。（図５参照）その後、前記構造の全表面に露光
領域がパターンになるネガティブ型感光膜（２８）を塗
布した後、後面から前記感光膜（２８）の露光に必要な
エネルギーより高いエネルギーの光で露光すれば、前記
光がクロム層（２３）パターンのエッジ部分で回折され
前記ハーフトーン光透過膜（２３）パターンエッジ部分
上の感光膜（２８）が露光し、この感光膜（２８）を現
像すれば、ハーフトーン光透過膜（２３）パターンのエ
ッジ部分上側と露光領域を覆う感光膜（２８）パターン
が形成される（図６参照）。
【００２０】次に、前記感光膜（２８）パターンが後続
エッチング工程で耐えられるようにするため１３０℃以
上の温度で熱処理し硬化させた後、前記感光膜（２８）
パターンにより露出しているハーフトーン光透過膜（２
３）パターンと位相シフト膜（２５）パターンを順次エ
ッチングし、露光領域と非露光領域の境界部に所定幅の
位相シフト膜（２５）パターンとその上側のハーフトー
ン光透過膜（２３）パターンが残るようにする（図７参
照）。
エッチング工程で耐えられるようにするため１３０℃以
上の温度で熱処理し硬化させた後、前記感光膜（２８）
パターンにより露出しているハーフトーン光透過膜（２
３）パターンと位相シフト膜（２５）パターンを順次エ
ッチングし、露光領域と非露光領域の境界部に所定幅の
位相シフト膜（２５）パターンとその上側のハーフトー
ン光透過膜（２３）パターンが残るようにする（図７参
照）。
【００２１】その後、前記構造の全表面に光遮断に充分
な厚さの光遮断膜（２４）をクロムや酸化アルミニウム
で形成する（図８参照）。
な厚さの光遮断膜（２４）をクロムや酸化アルミニウム
で形成する（図８参照）。
【００２２】その次に、前記感光膜（２８）パターンを
用いてその上側の光遮断膜（２４）をリフトオフ（lift
off）方法で取り除き、非露光領域に光遮断膜（２４）
パターンを形成し、露光領域と非露光領域の境界部に位
相シフト膜（２５）とハーフトーン光透過膜（２３）パ
ターンが積層するハーフトーン型位相シフトマスクを形
成する（図９参照）。
用いてその上側の光遮断膜（２４）をリフトオフ（lift
off）方法で取り除き、非露光領域に光遮断膜（２４）
パターンを形成し、露光領域と非露光領域の境界部に位
相シフト膜（２５）とハーフトーン光透過膜（２３）パ
ターンが積層するハーフトーン型位相シフトマスクを形
成する（図９参照）。
【００２３】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明によるハ
ーフトーン型位相シフトマスクによれば非露光領域に光
遮断膜パターンが形成され、露光領域と非露光領域の境
界部に位相シフト膜とハーフトーン光透過膜パターンが
積層され、非露光領域にオーバーラップする感光膜が全
然露光しないようになり感光膜に段差が発生しない。そ
の結果、このような感光膜パターンをエッチングやイオ
ン注入工程の際、マスクに用いると下層の損傷を防ぐこ
とができ、素子の工程収率及び信頼性が向上する利点が
ある。
ーフトーン型位相シフトマスクによれば非露光領域に光
遮断膜パターンが形成され、露光領域と非露光領域の境
界部に位相シフト膜とハーフトーン光透過膜パターンが
積層され、非露光領域にオーバーラップする感光膜が全
然露光しないようになり感光膜に段差が発生しない。そ
の結果、このような感光膜パターンをエッチングやイオ
ン注入工程の際、マスクに用いると下層の損傷を防ぐこ
とができ、素子の工程収率及び信頼性が向上する利点が
ある。
【図１】従来のハーフトーン型位相シフトマスクの断面
図。
図。
【図２】図１のハーフトーン型位相シフトマスクを用い
半導体基板上に感光膜パターンを形成した状態の断面
図。
半導体基板上に感光膜パターンを形成した状態の断面
図。
【図３】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の断面図。
の断面図。
【図４】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造工程図。
の製造工程図。
【図５】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造工程図。
の製造工程図。
【図６】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造工程図。
の製造工程図。
【図７】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造工程図。
の製造工程図。
【図８】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造工程図。
の製造工程図。
【図９】本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造工程図。
の製造工程図。
１１，１２…石英基板、１３，２３…ハーフトーン光透
過膜、１５，２５…位相シフト膜、１７…半導体基板、
１８，２８…感光膜パターン、２４…光遮断膜
過膜、１５，２５…位相シフト膜、１７…半導体基板、
１８，２８…感光膜パターン、２４…光遮断膜
Claims (6)
- 【請求項１】 ハーフトーン型位相反転マスクにおい
て、 透明基板上の非露光領域には光遮断膜パターンが形成さ
れ、 前記非露光領域と露光領域の境界部には、位相シフト膜
パターンとハーフトーン光透過膜パターンが積層され、 露光領域は、前記透明基板が露出していることを特徴と
するハーフトーン型位相シフトマスク。 - 【請求項２】 前記ハーフトーン光透過膜パターンが、
クロムまたは酸化アルミニウムで形成されることを特徴
とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマス
ク。 - 【請求項３】 前記ハーフトーン光透過膜パターンが、
５−２０％の光透過率を有するよう１００−１５０オン
グストローム程度の厚さで形成されることを特徴とする
請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク。 - 【請求項４】 ハーフトーン型位相反転マスク製造方法
において、 透明基板上に、位相シフト膜とハーフトーン光透過膜を
順次形成する工程と、 予定された露光領域の前記ハーフトーン光透過膜と位相
シフト膜を順次取り除きハーフトーン光透過膜パターン
と位相シフト膜パターンを形成する工程と、 前記構造の全表面にネガティブ感光膜を塗布する工程
と、 前記感光膜の露光に必要なエネルギーより高いエネルギ
ーで後面露光し、現像工程を実施して前記露光領域と近
接したハーフトーン光透過膜部分の上側を覆う感光膜パ
ターンを形成する工程と、 前記感光膜パターンをマスクにして、前記露出している
ハーフトーン光透過膜パターンと位相シフト膜パターン
を順次取り除き、前記露光領域と近接した部分だけに所
定の幅でハーフトーン光透過膜パターンと位相シフト膜
パターンが残るようにする工程と、 前記構造の全表面に光遮断膜を塗布する工程と、 前記感光膜パターンとその上部に塗布された光遮断膜を
除去する工程を含むハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法。 - 【請求項５】 前記感光膜パターンを形成した後、前記
感光膜パターンが後続エッチング工程で耐えられるよう
１３０℃以上の温度で熱処理することを特徴とする請求
項４記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項６】 前記ハーフトーン光透過膜は、５−２０
％の光透過率を有するよう１００−１５０オングストロ
ーム程度の厚さ形成することを特徴とする請求項４記載
のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940001942A KR970009822B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| KR94-1942 | 1994-02-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07287387A true JPH07287387A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=19376690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1712695A Pending JPH07287387A (ja) | 1994-02-03 | 1995-02-03 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (6)
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