KR980003806A - 위상반전마스크 및 그 제작방법 - Google Patents

위상반전마스크 및 그 제작방법 Download PDF

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof

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Abstract

신규한 공간주파변조형 위상반전마스크 및 그 제작방법이 개시되어 있다. 기판 상에 피노광물로의 패턴전사를 위해 차광막이 형성된다. 상기 차광막 상에 n₁π/2(여기서 n₁=1,3,5, …홀수)의 두께로 제1위상반전막이 형성된다. 그 위에 상기 제1위상반전막이 형성된 차광막의 인접패턴 부분에, 상기 기판을 식각하여 n₂π/2(여기서 n₂=1,3,5,…홀수)의 두께로 제2위상반전막이 형성된다. 기판의 언더커팅없이, 위상번전막의 유·무에 따른 임계치수의 차이를 억제할 수 있다.

Description

위상반전마스크 및 그 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4a도 내지 제4e도는 본 발명의 제1실시예에 의한 공간주파변조형 위상반전마스크의 제작방법을 설명하기 위한 단면도들.

Claims (5)

  1. 기판; 상기 기판 상에 피노광물로의 패턴전사를 위해 형성된 차광막; 상기 차광막 상에 n₁π/2(여기서 n₁=1,3,5, …홀수)의 두께로 형성된 제1위상반전막; 및 그 위에 상기 제1위상반전막이 형성된 차광막의 인접패턴 부분에, 상기 기판을 식각하여 n₂π/2(여기서 n₂=1,3,5,…홀수)의 두께로 형성된 제2위상반전막을 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1위상반전막은 SOG, 스퍼터된 실리콘산화막, 화학기상증착된 실리콘산화막, 레지스트 및 다른 투명막 등의 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
  3. 기판 상에 피노광물로의 패턴전사를 위한 차광막을 형성하는 단계; 상기 차광막 상에 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층 상에 위상반전막 패터닝을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 물질층을 식각함으로써, n₁π/2(여기서 n₁=1,3,5, …홀수) 두께의 제1위상반전막을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각함으로써, 그 위에 상기 제1위상반전막이 형성된 차광막의 인접패턴 부분에 n₂π/2(여기서 n₂=1,3,5,…홀수) 두께의 제2위상반전막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제작방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 물질층은 SOG, 스퍼터된 실리콘산화막, 화학기상증착된 실리콘산화막, 레지스트 및 다른 투명막 등의 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제작방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1위상반전막을 구성하는 상기 물질층은 π/2ⁿ, 상기 제2위상반전막은 π/2ⁿ(여기서, n은 1,2,3,…자연수)로 각각 n회씩 나누어서 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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