KR970028805A - 포토마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조공정중 사진공정에 사용되는 포토마스크에 관한 것으로서, 그 구성은 투명한 석영기판(40)상에 위상비반전영역인 제1식각패턴(41)과 위상반전영역인 제2식각패턴(42)을 구비하고, 그리고 상기 제2식각패턴(42)은 식각되지 않은 기판면을 투과하는 빛의 위상에 대해서 (2n+1)π배의 위상을 갖고 빛이 투과되도록 한 식각깊이를 갖도록 형성된다. 상술한 위상반전마스크에 의하면, 위상비반전영역과 위상반전영역사이에서 빛이 상쇄하면서 간섭하는 영역이 넓어지게 되고 그리고 패턴간의 간격이 넓어지게 되는 효과를 갖는다.

Description

포토마스크 및 그의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제6도는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판식각형 무크롬 PSM의 구조를 보여주는 단면도.

제7도는 제6도의 PSM을 사용하여 노광할 경우 식각된 홈을 통하여 투과되는 빛의 손실상태를 설명하기 위한 부분적 단면도.

Claims (12)

1. 투명한 석영기판(40)상에 식각되지 않은 위상비반전영역사이에 형성된 제1식각패턴(41)과 위상반전영역으로 형성된 제2식각패턴(42)을 구비한 포토마스크에 있어서, 상기 제2식각패턴(42)은 반복적으로 형성된 복수의 요철패턴을 구비하고, 각 요철패턴의 식각부분은 식각되지 않은 기판면을 투과하는 빛의 위상에 대해서 (2n+1)π배의 위상을 갖고 빛이 투과되도록 설정된 식각깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1식각패턴(41)의 각각의 패턴들 사이에 있는 상기 식각되지 않은 위상비반전영역상에 차광막(43)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
3. 제2항에 있어서, 상기 차광막(43)은 크롬막인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
4. 제1항에 있어서, 상기 각 요철패턴의 식각부분인 식각깊이는 상기 제1식각패턴(41)의 식각깊이보다 상대적으로 깊게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
5. 제1항에 있어서, 상기 제2식각패턴(42)은 각 패턴의 측벽이 상기 석영기판(40)면에 대해서 기울기를 갖고 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
6. 제5항에 있어서, 상기 기울기는 약 70° 내지 90°범위내에서 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
7. 투명한 석영기판(40)상에 위상비반전영역인 제1식각패턴(41)과 위상반전영역인 제2식각패턴(42)을 구비한 포토마스크의 제조방법에 있어서, 상기 제2식각패턴(42)을 제외하고 그리고 상기 제1식각패턴(41)상에만 감광막(45)을 도포하는 공정과; 상기 제2식각패턴(42)을 건식식각을 실행하여 상기 제1식각패턴(41)의 식각깊이보다 더 깊게 식각되게 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 제2식각패턴의 건식식각공정은 식각되지 않은 기판면을 투과하는 빛의 위상에 대해서 (2n+1)π배의 위상을 갖고 빛이 투과되도록 한 식각깊이를 가질 때까지 실행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 건식식각공정에 의해서 상기 제2식각패턴의 각 패턴의 측벽이 기울기를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 건식식각공정은 CHF₃또는 CF₄의 가스를 O₂가스를 혼합한 혼합가스를 에천트로 사용하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 혼합가스의 혼합비율은 약 10:1 내지 4:1의 범위내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 건식식각공정은 약 150mTorr이하의 저압과 400W이상의 고전력의 조건하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.

    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.