KR970016753A - 반도체 장치용 마스크의 제조방법 - Google Patents
반도체 장치용 마스크의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
마스크 패턴의 임계크기(CD)를 효과적으로 조절할 수 있는 마스크의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 마스크의 제조 방법은 마스크 기판 상에 차광층을 형성하는 단계와, 상기 차광층 상에 제 1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 차광층을 식각하여 언더컷 된 제 1차광층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1차광층 패턴이 형성된 기판의 배면에서 노광한 후 현상하여, 상기 언더컷 된 제 1차광층 패턴과 동일 크기로 제 1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 2포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 제 1차광층 패턴을 식각하여 상기 제 1차광층 패턴보다 폭이 작은 제 2차광층 패턴을 형성하는 단계와 상기 제 2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 포토레지스트 패턴이 있는 상태에서 CD를 측정할 수 있어 추가의 식각 공정을 적용할 수 있다. 따라서 CD를 효과적으로 조절할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도 내지 제 5도는 본 발명에 의한 마스크의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (1)
- 마스크 기판 상에 차광층을 형성하는 단계 ; 상기 차광층 상에 제 1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 제 1포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 차광층을 식각하여 언더컷 된 제 1차광층 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 제 1차광층 패턴이 형성된 기판의 배면에서 노광한 후 현상하여, 상기 언더컷 된 제 1차광층 패턴과 동일 크기로 제 2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 제 2포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 제 1차광층 패턴을 식각하여 상기 제 1차광층 패턴보다 폭이 작은 제 2차광층 패턴을 형성하는 단계 ; 및 상기 제 2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029300A KR970016753A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치용 마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029300A KR970016753A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치용 마스크의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016753A true KR970016753A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66596461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029300A KR970016753A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치용 마스크의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016753A (ko) |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029300A patent/KR970016753A/ko not_active Application Discontinuation
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