KR970028815A - 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고반사율을 갖는 고반사율 필름의 미세 패턴 형성 방법에 있어서; 기판 상에 고반사율 필름의 패터닝을 위한 버퍼 패턴을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 고반사율 필름을 형성하고, 상기 고반사율 필름상에 감광막을 도포하는 단계; 상기 버퍼 패턴의 상부 표면을 덮는 상기 고반사율 필름 부위만이 노출되도록 상기 감광막을 부분 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 노출된 상기 고반사율 필름을 식각하고 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 전체구조 상부를 소정두께 전면식각하는 단계 및 상기 버퍼 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 필름의 미세패턴 형성 방법에 관한 것으로, 너칭 및 식각 잔유물 문제를 해결할 수 있고, 공정 마진을 확보할 수 있어 소자 제조 수율 및 고집적화에 상응하는 미세한 선폭의 패턴을 형성하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1c도 내지 제1e도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성공정도.
Claims (3)
- 고반사율을 갖는 고반사율 필름의 미세 패턴 형성 방법에 있어서; 기판 상에 고반사율 필름의 패터닝을 위한 버퍼 패턴을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 고반사율 필름을 형성하고 상기 고반사율 필름상에 감광막을 도포하는 단계; 상기 버퍼 패턴의 상부 표면을 덮는 상기 고반사율 필름 부위만이 노출되도록 상기 감광막을 부분 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 노출된 상기 고반사율 필름을 식각하고 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 전체구조 상부를 소정두께 전면식각하는 단계; 및 상기 버퍼 패턴을 제거하는 단계로 포함하는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 전면식각 단계는, 상기 버퍼 패턴 상부 소정 부위가 식각될때까지 이루어지는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서; 상기 버퍼 패턴은 산화막인 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039624A KR970028815A (ko) | 1995-11-03 | 1995-11-03 | 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950039624A KR970028815A (ko) | 1995-11-03 | 1995-11-03 | 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970028815A true KR970028815A (ko) | 1997-06-24 |
Family
ID=66587414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950039624A KR970028815A (ko) | 1995-11-03 | 1995-11-03 | 고반사율을 갖는 필름의 미세 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970028815A (ko) |
-
1995
- 1995-11-03 KR KR1019950039624A patent/KR970028815A/ko not_active Application Discontinuation
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