KR960026275A - 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 집적회로의 금속 공정에 관한 것으로, 특히 금속 배선을 위한 식각시 감광막 대신 산화막을 보호막으로 사용하여 균일한 금속 도선을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다, 본 발명에 따른 금속 도선 형성방법은 표면에 증착된 금속막 위에 산화막을 형성한 후 패터닝을 실시하는 것으로 이루어진다. 본 발명에 의하면, 금속 배선을 위한 식각 공정시 감광막을 보호막으로 하지 않고 산화막을 보호막으로 사용함으로써 노광시 반사율의 감소로 마스크 얼라인먼트가 정확하게 되고, 식각 후 균일하고 클리어한 금속 도선을 형성시킬 수 있는 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(가)~(라)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 금속 도선 형성 과정을 보인 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 금속 배선 공정에 있어서, 표면에 증착된 금속막 위에 산화막을 형성한 후 패터닝을 실시하는 것으로 이루어진 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 약 500~1000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 위에 감광액을 도포한 후 그 위에 금속 도선 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 패터닝된 감광막을 벗겨낸 후 상기 산화막을 보호막으로 하여 금속막에 대한 식각을 시행하는 것을 특징으로 하는 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 보호막으로 작용하는 산화막이 금속식각과 동시에 제거되도록 시각시간을 충분히 늘려 설정하는 것을 특징으로 하는 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037792A KR960026275A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037792A KR960026275A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026275A true KR960026275A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940037792A KR960026275A (ko) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 산화막 패턴에 의한 금속 도선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026275A (ko) |
-
1994
- 1994-12-28 KR KR1019940037792A patent/KR960026275A/ko not_active Application Discontinuation
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