KR940007611A - 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 식각 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법에 관한 것으로, 반도체기판 (1), 상기 반도체기판(1)상의 절연층(2)에 매립되어 있는 전도층(3)과의 접속을 이루는 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법에 있어서, 전도층(3)에 콘택을 형성 하기 위하여 감광막(P/R)으로 마스크 패턴하고 상기 절연층(2)을 식각하여 상기 전도층(3)에 콘택홀을 형성한 다음에 선택 텅스텐(4)을 증착하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 금속(5)을 증착하고 상기 금속(5)과 텅스텐(4)을 소정의 크기로 접속을 이루게 하기위하여 감광막을 증착하여 패턴을 형성하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 상기 금속(5)을 소정의 크기로 형성하고 소정의 크기로 형성 되어진 상기 금속(5)의 정형으로 과다증착된 텅스텐(4)을 식각하는 제3단계로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 금속 배선 식각 공정도.
Claims (1)
- 반도체기판(1), 상기 반도체기판(1)상의 절연층(2)에 매립되어 있는 전도층(3)과의 접속을 이루는 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법에 있어서, 전도층(3)에 콘택을 형성 하기 위하여 감광막(P/R)으로 마스크 패턴하고 상기 절연층(2)을 식각하여 상기 전도층(3)에 콘택홀을 형성한 다음에 선택 텅스텐(4)을 증착하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 금속(5)을 증착하고 상기 금속(5)과 텅스텐(4)을 소정의 크기로 접속을 이루게 하기위하여 감광막을 증착하여 패턴을 형성하는 제2단계, 및 상기 제2단계 후에 상기 금속(5)을 소정의 크기로 형성하고 소정의 크기로 형성 되어진 상기 금속(5)의 정형으로 과다증착된 텅스텐(4)을 식각하는 제3단계로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920016040A KR100240589B1 (ko) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 반도체소자의금속배선식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019920016040A KR100240589B1 (ko) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 반도체소자의금속배선식각방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR940007611A true KR940007611A (ko) | 1994-04-27 |
| KR100240589B1 KR100240589B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=19339019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019920016040A KR100240589B1 (ko) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 반도체소자의금속배선식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR100240589B1 (ko) |
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1992
- 1992-09-03 KR KR1019920016040A patent/KR100240589B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100240589B1 (ko) | 2000-01-15 |
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