KR970023636A - 반도체장치의 미세배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 빛에 대한 반사도가 높은 막질상에서 감광막의 미세패턴을 형성하여 반도체 장치의 미세배선을 형성하는 것에 관한 것으로, 기판상에 필드산화막과 게이트전극을 형성하고, 상기 게이트전극상에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막과 노출된 기판상에 층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막상에 하부 전도층을 형성하는 공정과; 상기 하부전도층상에 중간절연막을 형성하는 공정과; 상기 중간절연막상에 상부전도층을 형성하는 공정과; 감광막을 마스크로 사용하여 상기 상부전도층을 부분식각하는 공정과; 부분식각된 상기 상부전도층에 감광막을 도포하여 패터닝하는 공정을 포함하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 미세배선 형성 공정도.
Claims (2)
- 기판(10)상에 산화막(16) 및 층간절연막(18)을 순차 형성하는 공정과; 상기 층간절연막(18)상에 하부전도층(20)을 형성하는 공정과; 상기 하부전도층(20)상에 중간절연막(22)을 형성하는 공정과; 상기 중간절연막(22)상에 상부전도층(24)을 형성하는 공정과; 상기 상부전도층(24)상에 감광막(26)을 도포하고 노광시켜 패터닝하는 공정과; 상기 감광막(26)을 마스크로 사용하여 상기 상부전도층(24)을 부분식각하는 공정과; 상기 상부전도층(24)상에 감광막(26a)을 도포하고 패터닝하여 감광막(26a)의 미세패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 패터닝시 형성된 감광막(26)을 마스크로 사용하여 상기 상부전도층(24)을 부분식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037280A KR970023636A (ko) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 반도체장치의 미세배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950037280A KR970023636A (ko) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 반도체장치의 미세배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023636A true KR970023636A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950037280A KR970023636A (ko) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 반도체장치의 미세배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023636A (ko) |
-
1995
- 1995-10-26 KR KR1019950037280A patent/KR970023636A/ko not_active Application Discontinuation
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