KR970049007A - 2층 감광막 패턴 형성방법 - Google Patents

2층 감광막 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 2층 감광막 패턴 형성방법에 관한것으로, 특히 반도체소자의 높은 에스펙트 비(aspect ratio)의 미세 패턴을 형성하기 위하여 부분적으로 패턴이 형성된 감광막에 SOG(spin on glass) 산화막을 도포하여 전면 식각을 진행하여 산화막 패턴을 형성하고, 이 산화막 패턴을 마스크로 이용하여 미세 감광막 패턴을 형성하는 방법이다.

Description

2층 감광막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의한 2층 감광막패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 마스크 2 : 노광영역
3 : 감광막 4 : 하부층
5 : 산화막

Claims (2)

  1. 감광막패턴 제조방법에 있어서, 패턴하고자 하는 층 상부에 감광막을 도포하는 단계와, 마스크를 통해 빛을 감광막의 얕은 두께만 노광시켜 노광영역을 형성하는 단계와, 상기 노광영역의 감광막을 습식방법으로 현상하여 요홈을 형성한 다음, 그 상부에 평탄화 성질이 우수한 산화막을 도포하는 단계와, 전면 건식식각으로 상기 산화막을 식각하여 상기 감광막의 요홈부에만 산화막이 남도록 하는 단계와, 상기 남아있는 산화막을 마스크로 이용하여 하부의 감광막을 건식 현상하여 미세한 크기의 감광막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 2층 감광막패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 평탄화 특성이 좋은 산화막은 SOG 산화막인 것을 특징으로 하는 2층 감광막패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950066055A 1995-12-29 1995-12-29 2층 감광막 패턴 형성방법 KR0159012B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100449319B1 (ko) * 2001-12-20 2004-09-18 동부전자 주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100449319B1 (ko) * 2001-12-20 2004-09-18 동부전자 주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

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