KR970003411A - 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 노광방법 - Google Patents
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Abstract
본 발명은 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것으로, 하부층의 단차로 인해 발생되는 패턴의 불균일한 형성을 방지하기 위하여 감광막을 도포한 후 단차가 높은 지역 및 낮은 지역의 마스크(Mask)를 각각 사용하여 노광시키므로써 패턴(Pattern)의 균일화를 이룰 수 있도록 한 패턴 형성된 마스크 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 패턴 형성용 마스크의 평면도, 제2도는 노광방법을 설명하기 위한 레이아웃도, 제3A 및 제3B도는 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 평면도.
Claims (2)
- 패턴 형성용 마스크에 있어서, 셀 지역의 패턴이 레이아웃된 제1마스크와, 주변회로 지역의 패턴이 레이아웃된 제2마스크로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성된 마스크.
- 패턴 형성용 마스크를 이용한 노광방법에 있어서, 소정의 층이 형성된 기판상에 감광막을 도포한 후 셀 지역의 패턴이 레이아웃된 제1마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1마스크를 제거한 후 주변회로 지역의 패턴이 레이아웃된 제2마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성된 마스크를 이용한 노광방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950017292A KR100212011B1 (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950017292A KR100212011B1 (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 노광방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR970003411A true KR970003411A (ko) | 1997-01-28 |
KR100212011B1 KR100212011B1 (ko) | 1999-08-02 |
Family
ID=19418175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950017292A KR100212011B1 (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 노광방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100212011B1 (ko) |
-
1995
- 1995-06-24 KR KR1019950017292A patent/KR100212011B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR100212011B1 (ko) | 1999-08-02 |
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