KR950021045A - 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 산화 스페이서를 이용하여 패턴간의 폭이 감소되도록 한 반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 3E도는 본 발명에 따라 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 있어서, 식각할 재료인 기판(1)상에 감광막(7)을 도포하고, 상기 감광막(7)상부에 포토마스크(5)를 위치시킨 후 노광하여 노광영역(6)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 노광영역(6)을 식각한 후 전체구조 상부에 저온 옥상이드(oxide)를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 저온 옥상이드(oxide)(9)를 블렌켓(Blanket) 식각공정에 의해 식각하여 산화 스페이서(10)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화 스페이서(10)를 식각 베리어(barrier)로 사용하여 노출된 상기 감광막(7)을 식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029784A KR950021045A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029784A KR950021045A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021045A true KR950021045A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66851197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930029784A KR950021045A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021045A (ko) |
-
1993
- 1993-12-27 KR KR1019930029784A patent/KR950021045A/ko not_active Application Discontinuation
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