KR950014983A - 사진식각방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 사진식각방법에 관한 것으로, 기판위에 소정의 물질막을 형성하는 공정과, 상기 물질막 위에 원하는 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막 상부에 형성하고자 하는 물질막 패턴에 적합한 제1감광막 식각 마스크를 얼라인 한 후 상기 감광막을 제1차 노광하는 공정과, 상기 제1감광막 식각 마스크와 동일한 제2감광막 식각 마스크를 다시 얼라인한 후 상기 제2마스크에 따라 상기 감광막을 제2차 노광하는 공정과, 상기 제1차 및 제2차 노광된 감광막을 현상하여 사진식각 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 사진식각 마스크패턴을 사용하여 상기 물질막을 선택적으로 식각하는 공정과, 상기 사진식각 마스크패턴을 제거하는 공정으로 구성되며, 상기 제1 또는 제2감광막 식각 마스크가 동일한 위치에 오염이 발생하지 않는한 사진식각 마스크패턴을 양호하게 형성함으로써 상기 사진식각 마스크패턴을 사용하여 식각되는 물질막의 패턴이 불량하게 형성되는 것을 방지하여 수율을 증가시킬 수 있다.

Description

사진식각방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

1. 기판(1)위에 소정의 물질막(2)을 형성하는 공정과, 상기 물질막(2) 위에 감광막(3)을 형성하는 공정과, 상기 감광막(3)의 상부에 형성하고자 하는 물질막 패턴에 적합한 제1감광막 식각 마스크(4)를 얼라인 한 후 상기 감광막(3)을 제1차 노광하는 공정과, 상기 제1감광막 식각 마스크(4)와 동일한 제2감광막 식각 마스크(4')를 다시 얼라인한 후 상기 제2감광막 시각 마스크(4')에 따라 1차 노광된 상기 감광막을 제2차 노광하는 공정과, 상기 제1차 및 제2차 노광된 감광막을 현상하여 사진식각 마스크패턴(7)을 형성하는 공정과, 상기 사진식각 마스크패턴(7)을 사용하여 상기 물질막으로 선택적으로 식각하는 공정과, 상기 사진식각 마스크패턴을 제거하는 공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 사진식각방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.