KR970016774A - 하프톤(Half-Tone) 위상반전마스크의 제조방법 - Google Patents

하프톤(Half-Tone) 위상반전마스크의 제조방법 Download PDF

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Abstract

차광막, 즉 크롬(Cr)을 식각 마스크로 하여 쉬프터를 건식 식각함으로써, 찌꺼기(Scum)나 물반점(Water Mark)에 의한 디펙트 발생을 최소화하는 하프톤 위상반전 마스크의 제조 방법이 포함되어 있다. 본 발명은 투명 기판의 전면에 쉬프터 형성 공정, 상기 쉬프터의 전면에 차광막 형성 공정, 상기 차광막의 전면에 포토레지스트 형성 공정, 포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 차광막을 노출시키는 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 차광막 패턴을 형성하고 상기 쉬프터를 노출시키는 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고 크리닝 하는 공정, 상기 차광막 패턴을 식각 마스크로 하여 쉬프터 패턴을 형성하는 공정, 상기 차광막 패턴을 제거하는 공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 하프톤 위상반전 마스크 제조 방법은, 디펙트 발생이 없는 위상반전 마스크를 만들 수 있으므로, 수율이 높아지고 신뢰성이 높아질 뿐만 아니라 크롬보더(Cr-Border)의 기능도 쉽게 추가할 수 있다.

Description

하프톤(Half-Tone) 위상반전 마스크의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 종래의 하프톤 위상반전 마스크의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.

Claims (4)

  1. 위상반전 마스크의 제조 방법에 있어서, 투명한 기판의 전면에 쉬프터를 형성하는 공정 ; 상기 쉬프터의 전면에 차광막을 형성하는 공정 ; 상기 차광막의 전면에 포토레지스트를 형성하는 공정 ; 상기 포토레지스트에 패턴을 노광하고 현상하여, 포토레지스트 패턴을 형성하고 차광막을 노출시키는 공정 ; 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 차광막을 식각함으로써, 차광막 패턴을 형성하고 상기 쉬프터를 노출시키는 공정 ; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고 크리닝 하는 공정 ; 상기 차광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 쉬프터를 식각함으로써, 쉬프터 패턴을 형서하는 공정 ; 상기 차광막 패턴을 제거하는 공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 차광막은 크롬(Cr)을 사용하여 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 차광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 쉬프터를 식각할 때, CF4+O2가스의 공정 조건을 사용하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조 방법.
  4. 위상반전 마스크의 제조 방법에 있어서, 투명한 기판의 전면에 쉬프터를 형성하는 공정 ; 상기 쉬프터의 전면에 차광막을 형성하는 공정 ; 상기 차광막의 전면에 제 1포토레지스트를 형성하는 공정 ; 상기 제 1포토레지스트에 패턴을 노광하고 현상하여, 제 1포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 차광막을 노출시키는 공정 ; 상기 제 1포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 차광막을 식각함으로써, 차광막 패턴을 형성하고 상기 쉬프터를 노출시키는 공정 ; 상기 제 1포토레지스트 패턴을 제거하는 공정 ; 상기 차광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 쉬프터를 식각함으로써, 쉬프트 패턴을 형성하는 공정 ; 상기 결과물의 전면에 제 2포토레지스트를 형성하는 공정 ; 상기 제 2포토레지스트에 블라인드 패턴을 노광하고 현상하여, 제 2포토레지스트 블라인드 패턴을 형성하는 공정 ; 상기 제 2포토레지스트 블라인드 패턴을 식각 마스크로 하여, 상기 차광막 패턴 중 노출된 차광막 패턴을 식각하는 공정 ; 상기 제 2포토레지스트 블라인드 패턴을 제거하는 공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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