KR950021041A - 변형 미해상 회절마스크 구조 및 제작방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광노광장치를 이용한 리소그라피 공정시 위상격자로 구성된 미해상 회절층을 사용하여 부분차광막 방식의 해상력 개선을 보완한 구조로 미해상 회절 마스크의 구조를 접목하여 보다 좋은 리소그라피성능을 발휘하게 하는 변형 미해상 회절 마스크 구조 및 제작방법에 관한 것이다. 본 발명의 변형 미해상 회절마스크는 부분 차광막 방법으로 제작된 주 마스크 패턴의 상부에 웨이퍼 위에 상이 전사되지 않는 위상격자 패턴으로 형성된 미해상 회절층이 놓여진 구조로 되어 있었다. 따라서 본 발명은 종래의 DDM의 리소그라피 특성을 개선시켜 주 마스크의 해상력을 높이고 촛점심도를 크게 하는 효과가 있다.

Description

변형 미해상 회절마스크 구조 및 제작방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 구조를 나타낸 단면도

제2도는 본 발명에 따른 제조방법을 나타낸 단면도.

Claims (2)

1. 광노광 장비를 이용한 리소그라피 공정에 있어서, 석영기판(1)의 한 면의 주 마스크 상부에 부분차광막 패턴이 형성되고 상기 부분차광막 패턴상에 미해상 회절층(3)이 형성된 구조나 또는 상기 석영기판의 한 면에 미해상 회절층(3)이 형성되고 상기 석영기판의 다른 한 면에 부분차광막 패턴형성을 위한 크롬층이 형성되는 일체형 변형 미해상 마스크 구조와; 상기 석영기판(1)의 한 면의 주 마스크 상부에 부분차광막 패턴 형성을 위한 크롬층(2)을 형성하고 상기 석영기판(1)과 분리하여 미해상회절층(3)이 형성되는 분리형 변형 미해상 구조를 특징으로 하는 변형 미해상 회절 마스크 구조.
2. 광노광장비를 이용한 리소그라피 공정에 있어서, 석영기판(1)의 한면에 크롬층(2)을 형성하고 다른 한면에 상기 석영을 주 마스크(1)로 하여 미해상 회절층(3) 형성을 위한 레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 미해상 회절층 (3)을 형성하기 위하여 석영기판(1)을 식각하여 미해상회절층 패턴을 형성하는 공정과;상기 석영기판(1)의 한 면의 주 마스크상에 레지스트 패턴을 형성하고 다른 한면에 미해상회절층(3)을 형성하는 공정과;상기 주 마스크(1)상에 주 패턴형성을 위한 크롬층(2을 식각하고 마스크(석영)를 식각하는 공정과; 상기 주 마스크상(1)의 주 레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 주마스크상(1)에 주 패턴 부분차광막 형성을 위한 크롬층(2)을 부분 식각하는 공정을 특징으로 하는 변형 미해상 회절 마스크 제작방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.