KR950012630A - 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 노광 영역을 정의하는 광투과성 제1광차 단막 패턴상에 위상 반전막이 형성되어 있는 통상의 하프 톤형 위상 반전 마스크에서 표면에 네가티브형 감광막을 도포한 후, 배면에서 노광한다 그다음 현상된 감광막을 전면 식각하여 위상 반전막을 노출시킨 후, 상기 구조상에 충분한 두께의 제 2광차단막을 도포하고 감광막과 그 상부의 제 2광차단막을 제거하여 상기 위상 반전막상에 별도의 광차단막 패턴을 구비하는 위상 반전 마스크를 형성하였으므로, 광투과성 제 1광차 단막 패턴의 두께를 여유있게 조정할 수 있으므로 하프 톤형 위상 반전 마스크의 제조 공정이 간단해지며, 노광 영역의 에지 부분에 광강도가 최소가 되어 정확한 패턴을 형성할 수 있으므로 반도체 장치의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도의 위상 반전 마스크를 투과한 광의 세기 분포도,
제3도는 제1도의 위상 반전 마스크를 이용한 노광공정에 의해 감광막 패턴의 단면도,
제4도는 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 단면도,
제5도 (A)~(E)는 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 투명기판 상에 상기 투명기판을 노출시키는 소정의 노광 영역을 갖으며, 소정의 광투과율을 갖도록 형성되어 있는 제 1광차단막 패턴과, 상기 제 1광타단막 패턴과 동일한 노광 영역들 갖도록, 상기 제 1광차단막 패턴 상에 형성되어 있는 위상 반전막 패턴을 구비하는 하프 톤형 위상 반전 마스크에 있어서, 상기 위상 반전막 패턴 상에 상기 제 1광차단막 패턴에 의해 정의된 노광 영역 보다 큰 노광 영역을 갖도록 형성되어 있는 제 2광차단막 패턴을 구비하는 위상 반전 마스크.
  2. 투명기판의 일면에 상기 투명기판을 노출시키는 소정의 노광 영역을 갖는 광투과성 제1광차단막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1광차단막 패턴의 상부에 동일한 노광 영역을 갖는 위상 반전막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 하프 톤형 위상 반전 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 투명기판과 위상 반전막상에 네가티브형 감광막을 도포하는 공정과, 상기 제1광차단막 패턴을 통하여 노광한 후, 현상하여 노광되지 않은 감광막을 제거하는 공정과, 상기 위상 반전막 패턴이 노출되도록 상기 감광막을 전면 식각하여 상기 노광 영역을 태우고 상기 노광 영역 주변의 위상 반전막 패턴과 소정 부분이 중첩되는 감광막 패턴을 형성 하는 공정과, 상기 감광막 패턴과 위상 반전막 패턴 상에 제2광차단막을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴과 그 상부의 제2광차단막 패턴을 제거하여 상기 위상 반전막 패턴의 노광 영역 보다 큰 노광 영역을 갖는 제2광차단막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제1 및 제 2광차단막 패턴이 크롬 또는 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2광차단막 패턴이 크롬으로 이루어지는 경우 상기 제 1광차단막 패턴은 1000Å 이하로 형성되어 있으며, 제2광차단막 패턴은 1000Å 이상의 두께로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930022679A 1993-10-29 1993-10-29 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 KR970004429B1 (ko)

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