KR940009769A - 반도체 소자의 감광막 미세 패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감광화합물이 포함되어 있지 않은 감광막을 하층으로 사용하고, 그 상부에 감광화합물이 포함된 실리레이션을 감광막을 도포하여, 다층 감광막 패턴을 형성하는 것에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 미세 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도로서,
제2A도는 실리콘 기판위에 에칭할 물질을 도포한 후, 2층의 감광막을 도포한 단면도,
제2B도는 제2A에 전면노광을 실시한 단면도,
제2C도는 실리레이션 반응 후의 단면도,
제2D도는 산소플라즈마로 건식식각하여 미세 패턴을 형성한 단면도.
Claims (1)
- 반도체소자의 미세 패턴 형성에 있어서, 실리콘 기판에 에칭할 물질을 도포하고, 감광화합물이 포함되어 있지 않은 1차 감광막을 두껍게 도포하는 단계와, 1차 감광막의 상부에 감광화합물이 포함된 실리레이션용 2차 감광막을 얇게 도포하고, 노광 및 현상공정으로 노광된 부분의 2차 감광막을 제거하여, 2차 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 2차 감광막 패턴을 노광시킨 다음, 실리레이션 반응으로 2차 감광막 패턴의 상부 표면에 실리콘 주입층을 형성하는 단계와, 산소플라즈마로 실리콘 주입층을 산화막으로 형성하여 마스크로 이용하고, 노출된 1차 감광막을 식각하여, 산화막, 1차 및 2차 감광막으로 이루어진 미세 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광막 미세 패턴 향성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019904A KR950004977B1 (ko) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 반도체 소자의 감광막 미세 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR940009769A true KR940009769A (ko) | 1994-05-24 |
| KR950004977B1 KR950004977B1 (ko) | 1995-05-16 |
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ID=19341896
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950004977B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272517B1 (ko) * | 1998-02-25 | 2000-12-01 | 김영환 | 반도체 소자의 마스크 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3887826B2 (ja) | 1997-03-12 | 2007-02-28 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
-
1992
- 1992-10-28 KR KR1019920019904A patent/KR950004977B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR950004977B1 (ko) | 1995-05-16 |
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