KR940016671A - 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조 공정에서 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법에 있어서, 콘택홀을 형성할때 노광지역이 비노광지역보다 클때 발생되는 버즈빅을 해결하기 위하여 콘택홀 영역이 노광되는 마스크를 사용하고, 노광, 실리레이션, 식각공정으로 콘택홀 영역에 있는 실리레이션용 레지스트의 상부 표면에 식각베리어층을 형성한 다음, 다시 SOG막 도포 및 에치백 공정으로 비노광지역에만 SOG막을 남겨서 이 SOG막을 마스크로하여 콘택홀 영역의 레지스트를 제거하여 포지티브 레지스트 패턴을 형성하는 기술이다.

Description

실리레이션용 레지스트패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도 내지 제 6 도는 본 발명에 의한 실리레이션용 레지스트에 콘택홀용 레지스트패턴을 형성하는 단계를 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 콘택홀을 형성할때 노광지역이 비노광지역보다 상대적으로 큰 곳에 적용되는 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법에 있어서, 기판 또는 도전층 상부에 콘택홀이 형성될 절연층을 형성하고, 그 상부에 실리레이션용 레지스트를 도포하는 단계와, 콘택홀이 형성될 부분이 노광되도록한 마스크를 이용하여 레지스트를 노광시킨 다음, 실리레이션 공정으로 노광영역의 레지스트에 실리콘을 주입하는 단계와, 산소플라즈마 RIE공정으로 비노광지역의 레지스트를 소정두께 식각하되, 실리콘이 주입된 노광영역의 레지스트는 산화막으로 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 SOG막을 산화막 상부까지 평탄하게 도포한 다음 에치백 공정으로 상기 SOG막을 식각하되 산화막 저부의 레지스트가 노출되기까지 식각하는 단계와, 상기 공정으로 남아 있는 SOG막을 마스크로하여 노출된 레지스트를 제거하여 콘택홀 마스크용 레지스트패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 산화막을 제거하는 것은 SOG막을 제거할때 동시에 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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