KR970003660A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법이 개시된다.
본 발명은 금속층상에 반사율이 낮은 실리콘 나이트라이트층을 적용하므로써, 금속배선을 형성하기 위한 마스크 작업시 노치의 생성요인을 제거한다.
따라서, 본 발명은 소자에서 원하는 금속배선을 형성할 수 있어 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1C도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 하부층이 제공되고, 상기 하부층상에 금속층 및 실리콘 나이트라이드층을 순차적으로 형성하는 단계와, 금속배선 마스크를 사용한 포토리소그라피 공정을 통해 상기 실리콘 나이트라이트층상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각공정으로 상기 실리콘 나이트라이드층과 상기 금속층을 순차적으로 식각하여 금속배선을 형성하고, 이후 상기 포토레지스트 패턴과 상기 실리콘 나이트라이트층을 완전히 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 나이트라이트층은 300 내지 500A 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016421A KR970003660A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016421A KR970003660A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003660A true KR970003660A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950016421A KR970003660A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003660A (ko) |
-
1995
- 1995-06-20 KR KR1019950016421A patent/KR970003660A/ko not_active Application Discontinuation
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