KR950012638A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950012638A
KR950012638A KR1019930022340A KR930022340A KR950012638A KR 950012638 A KR950012638 A KR 950012638A KR 1019930022340 A KR1019930022340 A KR 1019930022340A KR 930022340 A KR930022340 A KR 930022340A KR 950012638 A KR950012638 A KR 950012638A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
manufacturing
semiconductor device
pattern
photolithography process
Prior art date
Application number
KR1019930022340A
Other languages
English (en)
Inventor
윤두협
서주옥
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 주식회사 금성사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019930022340A priority Critical patent/KR950012638A/ko
Publication of KR950012638A publication Critical patent/KR950012638A/ko

Links

Abstract

본 발명은 포토레지스트를 이용한 사진식각공정에 의해 패턴을 형성하는 반도체장차의 제조방법에 있어서 사진식각공정후의 잔여불순물을 제거하는 방밥에 관한 것으로, 포토레지스트를 이용한 사진식각공정에 의해 패턴을 찬성하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 패터닝하고자 하는 층상에 포토레지스트를 도포하는 공정, 상기 포토레지스트를 원하는 패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 패터닝하고자 하는 층을 식각하는 공정, 상기 포토레지스트를 제거하는 공정, 상기 포토레지스트가 제거된 결과를 전면을 플러드노광시키는 공정. NH40H계 식각응액에 상기 결과물을 담가 그 로면상의 잔여불순물을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법을 제공한다

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 레이저다이오드 제조방법을 도시한 공정순서도,
제2도는 본 발명의 포토레지스트를 이용한 사진식각공정에 의한 패턴형성방법.

Claims (1)

  1. 포토레지스트를 이용한 사진식각공정에 의해 패턴을 형성하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 패터닝하고자 하는 층상에 포토레지스트를 도포하는 공정, 상기 포토레지스트를 원하는 패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 하여 패터닝하고자 하는 층을 식각하는 공정, 상기 포토레지스트를 제거하는 공정, 상기 포토레지스트가 제거된 결과물 전면을 플러드노광시키는 공정, NH4OH계 식각용액에 상기 결과물을 담가 그 표면상의 잔여불순물을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930022340A 1993-10-26 1993-10-26 반도체장치의 제조방법 KR950012638A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930022340A KR950012638A (ko) 1993-10-26 1993-10-26 반도체장치의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930022340A KR950012638A (ko) 1993-10-26 1993-10-26 반도체장치의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950012638A true KR950012638A (ko) 1995-05-16

Family

ID=66824757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930022340A KR950012638A (ko) 1993-10-26 1993-10-26 반도체장치의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950012638A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950012638A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR900003977A (ko) 반도체장치의 제조방법
US6309804B1 (en) Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment
KR940015704A (ko) 실리레이션용 감광막 패턴 형성방법
KR950034414A (ko) 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법
KR950004397A (ko) 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법
KR900017174A (ko) 반도체의 미세패턴 형성방법
KR940004747A (ko) 레지스트 패턴형성방법
KR950021047A (ko) 포토레지스트의 미세패턴 형성방법
KR950030243A (ko) 잔존 도전막 제거 방법
KR950014983A (ko) 사진식각방법
KR970016761A (ko) 건식식각이 가능한 포토마스크 제조방법
KR980003850A (ko) 미세 레지스트 패턴 형성방법
KR970053120A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970054993A (ko) 부분 회절 격자 형성 방법
KR970003559A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR950021075A (ko) 반도체장치의 콘택홀 형성방법
KR950019919A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR940016501A (ko) 다중마스크에 의한 미세콘택홀 형성방법
KR970016754A (ko) 반도체 장치용 마스크 제조방법
KR930008985A (ko) 미세패턴 형성방법
KR940009770A (ko) 실리사이드막/폴리실리콘층 식각방법
KR940012053A (ko) 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법
KR970051897A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970052730A (ko) 반도체 장치의 피에스지(psg)막 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid