KR950019919A - 반도체소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 형성된 중간층패턴을 마스트로 하여 전면노광해서 공정여유도가 큰 양질의 하층감광막패턴을 형성한 후, 보호층으로 중간층패턴을 사용하여 도전층패턴을 형성함으로써 미세패턴을 향상시켜 공정의 안정화를 높이는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 반도체기판의 상부에 도전층을 증착하고 그상부에 하층감광막,중간층 및 상층감광막을 도포하는 공정과, 노광마스크를 사용한 노광공정으로 상층감광막을 노광시키고 현상공정으로 상층감광막패턴을 형성하고, 이 상층감광막패턴을 마스크로하여 중간층패턴을 형성하는 공정과, 상기 중간층패턴을 마스크로하여 하층감광막을 전면노광으로 노광시킨 후, 현상공정으로 하층감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 중간층패턴과 하층감광막패턴을 마스크로하여 노출된 도전층을 식각하여 도전층패턴을 형성하는 공정과,습식방법으로 하층감광막패턴을 제거함으로써 상층감광막패턴을 상부에 있는 마스크패턴을 함께 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 중간층은 알루미늄 또한 다결정실리콘을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028875A KR100255560B1 (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930028875A KR100255560B1 (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950019919A true KR950019919A (ko) | 1995-07-24 |
| KR100255560B1 KR100255560B1 (ko) | 2000-06-01 |
Family
ID=19371957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930028875A KR100255560B1 (ko) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100255560B1 (ko) |
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1993
- 1993-12-21 KR KR1019930028875A patent/KR100255560B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100255560B1 (ko) | 2000-06-01 |
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