KR970003559A - 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 3층 레지스터 구조를 두번 적용하여 단일 감광막 패턴의 미세선폭보다 미세한 선폭을 갖는 감광막 패턴을 형성하고, 이 감광막 패턴을 마스크로 하여 하부층을 식각하여 미세패턴을 형성하는 방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제8도는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법의 제조 공정도.
Claims (4)
- 하부층 상부에 3층 레지스터 구조의 제1하부 감광막과, 제1중간층 및 제1상부 감광막을 형성하는 단계와, 하부층 마스크를 이용하여 제1상부 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 제1중간층을 건식식각하여 제1중간층 패턴을 형성하고, 상기 제1상부 감광막 패턴을 제거하는 단계와, 제1중간층 패턴의 일정두께를 등방성 식각하고, 전체 구조의 상부에 3층 레지스터 구조의 제2하부 감광막과, 제2중간층 및 제2상부 감광막을 형성하는 단계와, 하부층 마스크를 이용하여 상기 제1상부 감광막 패턴의 반대지역에 제2감광막 패턴을 형성하는 단계와, 제2상부 감광막 패턴을 마스크로 하여 제2중간층을 건식식각하여 제2중간층 패턴을 형성하고, 제2상부 감광막 패턴을 제거하는 단계와, 상기 제2중간층 패턴과 제1중간층 패턴을 마스크로 하여 제2하부 감광막과 제1하부 감광막을 하부층이 노출될 때까지 식각하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 제1, 제2중간층 패턴을 제거한 후 감광막 패턴을마스크로 하여 극미세 패턴의 하부층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, O2 플라즈마 건식식각으로 제1상부 감광막과 제2상부 감광막을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2상부 감광막을 식각할때 노출된 제1및 제2하부 감광막도 일정깊이로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 및 제2중간층 패턴을 일정깊이 습식식각으로 식각할때 불산으로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017500A KR970003559A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017500A KR970003559A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003559A true KR970003559A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017500A KR970003559A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003559A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190003300A (ko) * | 2017-06-30 | 2019-01-09 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 방법 |
-
1995
- 1995-06-26 KR KR1019950017500A patent/KR970003559A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190003300A (ko) * | 2017-06-30 | 2019-01-09 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 방법 |
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