KR940012053A - 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 비노 광영역의 실리레이션 레지스트를 제거하는 식각 공정에서 산소 플라즈마에 불활성 개스를 추가하여 레지스트 패턴을 형성한 다음, 식각 공정시 생성된 폴리커를 습식 식각으로 제거하는 방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 도 내지 제1D 도는 공지의 기술로 실리레이션 레지스트 패턴 공정단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 소정의 패턴을 형성할 물질층 상에 실리레이션 레지스트를 도포하고, 노광 및 실리레이션 공정으로 노광영역의 실리레이션 레지스트 상부에 실리콘 주입층을 형성한 다음, 산소 플라즈마로 비노광지역의 실리레이션 레지스트를 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 산소 플라즈마에 불활성 개스를 첨가시켜 레지스트 패턴을 형성한 다음, 웰 식각으로 잔여물을 제거하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웰 식각은 B. O. E용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리레이션 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불활성개스는 Ar 또는 He인 것을 특징으로 하는 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920021595A KR960002419B1 (ko) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019920021595A KR960002419B1 (ko) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940012053A true KR940012053A (ko) | 1994-06-22 |
| KR960002419B1 KR960002419B1 (ko) | 1996-02-17 |
Family
ID=19343300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920021595A KR960002419B1 (ko) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 실리레이션 레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002419B1 (ko) |
-
1992
- 1992-11-18 KR KR1019920021595A patent/KR960002419B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960002419B1 (ko) | 1996-02-17 |
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