KR980003884A - 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 질화막(
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의해 화학증폭형 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 웨이퍼 상부에 하부층을 형성하고, 하부층의 표면에 산소 플라즈마 처리 공정으로 얇은 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막 상부에 화학증폭형 레지스트를 도포하는 단계와, 마스크를 이용한 노광 공정으로 상기 레지스트를 노광한 후, 현상공정으로 레지스트의 일정 부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부층은 질화막(), 티타늄 나이트라이드 (TiN), BPSG막 또는 화학증폭형 레지스트 패턴을 형성할 때 스컴이나 푸팅이 발생되는 층인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소 플라즈마 처리 공정은 1-500℃의 온도에서 0.1-10000ℓ/분으로 산소 공급하여 일정 시간 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023213A KR980003884A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023213A KR980003884A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003884A true KR980003884A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023213A KR980003884A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003884A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010324A (ko) * | 2001-07-26 | 2003-02-05 | 삼성전자주식회사 | 산소 플라즈마 전처리 공정을 구비하는 반도체 소자의제조 방법 |
| KR20030062200A (ko) * | 2002-01-16 | 2003-07-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레지스트 패턴 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023213A patent/KR980003884A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010324A (ko) * | 2001-07-26 | 2003-02-05 | 삼성전자주식회사 | 산소 플라즈마 전처리 공정을 구비하는 반도체 소자의제조 방법 |
| KR20030062200A (ko) * | 2002-01-16 | 2003-07-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레지스트 패턴 형성방법 |
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