KR960015768A - 마스크패턴 제거방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마스크패턴 제거방법에 관한 것으로, 피식각층에 가해지는 손상없이 마스크패턴을 제거하기 위한 것이다.
본 발명은 반도체기판상에 형성된 피식각층을 패터닝하기 위해 형성된 유기질층과 이 유기질층 상부에 형성된 무기질층으로 이루어진 마스크패턴을 제거하는 방법에 있어서, 상기 마스크패턴이 형성된 피식각층 전면에 상기 마스크패턴을 완전히 덮을 수 있는 두께로 레지스트를 도포하는 단계와, 상기 레지스트에 선택적으로 시릴레이션공정을 행하고, O2플라즈마를 이용하여 식각공정을 행하여 상기 마스크패턴 상부의 레지스트부분을 제거함과 동시에 상기 마스크패턴이 형성되어 있지 않은 노출된 상기 피식각층 상부의 상기 레지스트 표면에 산화막을 형성하는 단계, 상기 마스크패턴 상부의 무기질층과 상기 산화막을 식각하는 단계, 상기 마스크패턴의 유기질층과 상기 남아 있는 레지스트층을 제거하는 단계로 이루어지는 마스크패턴 제거방법을 제공함으로써 피식각층에 손상을 가하지 않으면서 마스크패턴을 효과적으로 제거할 수 있도록 한다.

Description

마스크패턴 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크패턴 제거방법을 도시한 공정순서도.

Claims (16)

  1. 반도체기판상에 형성된 피식각층을 패터닝하기 위해 형성된 유기질층과 이 유기질층 상부에 형성된 무기질층으로 이루어진 마스크패턴을 제거하는 방법에 있어서, 상기 마스크패턴이 형성된 피식각층 전면에 상기 마스크패턴을 완전히 덮을 수 있는 두께로 레지스트를 도포하는 단계와, 상기 레지스트에 선택적으로 시릴레이션공정을 행하고 O2플라즈마를 이용하여 식각공정을 행하여 상기 마스크패턴 상부의 레지스트부분을 제거함과 동시에 상기 마스크패턴이 형성되어 있지 않은 노출된 상기 피식각층 상부의 상기 레지스트 표면에 산화막을 형성하는 단계, 상기 마스크패턴 상부의 무기질층과 상기 산화막을 식각하는 단계, 상기 마스크패턴의 유기질층과 상기 남아 있는 레지스트층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피식각층과 상기 마스크패턴을 이루는 무기질층이 동일하거나 유사한 물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마스크패턴을 이루는 유기질층은 레지스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 마스크패턴은 시릴레이션공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마스크패턴은 다층레지스트공정에 의해 형성된 하층레지스트와 중간층으로 이루어진 구조임을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 피식각층은 산화막, 폴리실리콘, 질화막, 금속 및 BPSG중에서 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 마스크패턴을 이루는 무기질층은 산화막, 폴리실리콘, 질화막, 금속 및 BPSG중에서 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  8. 반도체기판상에 형성된 피식각층을 패터닝하기 위해 형성된 유기질층과 이 유기질층 상부에 형성된 무기질층으로 이루어진 마스크패턴을 제거하는 방법에 있어서, 상기 마스크패턴이 형성된 피식각층 전면에 상기 마스크패턴을 완전히 덮을 수 있는 두께로 레지스트를 도포하는 단계와, 상기 레지스트를 상기 마스크패턴이 형성되어 있지 않은 노출된 상기 피식각층 상부에만 선택적으로 남기는 단계, 상기 마스크패턴 상부의 무기질층을 제거하는 단계, 상기 마스크패턴의 유기질층과 상기 남아 있는 레지스트층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 피식각층과 상기 마스크패턴을 이루는 무기질층이 동일하거나 유사한 물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 마스크패턴을 이루는 유기질층은 레지스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 마스크패턴을 시릴레이션공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 마스크패턴을 다층레지스트공정에 의해 형성된 하층레지스트와 중간층으로 이루어진 것임을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 피식각층은 산화막, 폴리실리콘, 질화막, 금속 및 BPSG중에서 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 마스크패턴을 이루는 무기질층은 산화막, 폴리실리콘, 질화막, 금속 및 BPSG중에서 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 마스크 패턴 제거방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 레지스트를 상기 마스크패턴이 형성되어 있지 않은 노출된 상기 피식각층 상부에만 선택적으로 남기는 단계는 상기 레지스트를 선택적으로 노광 및 현상하는 공정에 의해 행해짐을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 레지스트를 상기 마스크패턴이 형성되어 있지 않은 노출된 상기 피식각층 상부에만 선택적을 남기는 단계는 상기 레지스트와 상기 마스크 패턴을 이루는 무기질층과의 식각선택비를 조절하여 블러드식각하는 공정에 의해 행해짐을 특징으로 하는 마스크패턴 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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