KR970003854A - 다층 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 다층 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 절연막상부에 하부 금속배선을 형성하고, 전체적으로 제1산화막을 얇은 두께로 형성하고, 그 상부에 평탄화용 절연막을 형성한 다음, 그 상부에 제2산화막을 증착하는 단계와, 상기 제2산화막 상부에 콘택 마스크용 감광막패턴을 형성하고, 습식식각으로 노출된 제2산화막의 일정 두께를 식각하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하고, 전면성건식식각으로 나머지 제2산화막, 평탄화용 절연막 및 제1산화막을 순차적으로 식각하여 상기 하부 금속배선이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상부 금속배선층을 증착하여 노출된 하부 금속배선에 콘택하는 단계를 포함하는 것이다.
그로 인하여 콘택홀의 에스펙트비를 최소화하며, 상부 금속배선층의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명에 의해 다층 금속배선을 형성하는 공정단계를 도시한 단면도.
Claims (5)
- 절연막상부에 하부 금속배선을 형성하고, 전체적으로 제1산화막을 얇은 두께로 형성하고, 그 상부에 평탄화용 절연막을 형성한 다음, 그 상부에 제2산화막을 증착하는 단계와, 상기 제2산화막 상부에 콘택 마스크용 감광막패턴을 형성하고, 습식식각으로 노출된 제2산화막의 일정 두께를 식각하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하고, 전면성 건식식각으로 나머지 제2산화막, 평탄화용 절연막 및 제1산화막을 순차적으로 식각하여 상기 하부 금속배선이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상부 금속배선층을 증착하여 노출된 하부 금속배선에 콘택하는 단계를 포함하는 다층 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막을 습식식각하는 것은 BOE 용액 또는 희석 HF 용액인 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막을 습식식각할때 평탄화용 절연막을 식각되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화용 산화막은 SOG막인 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면성 건식식각은 CF4+O2또는 C2F6+O2인 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018898A KR970003854A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 다층 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950018898A KR970003854A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 다층 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003854A true KR970003854A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950018898A KR970003854A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 다층 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970003854A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018898A patent/KR970003854A/ko not_active Application Discontinuation
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