KR970003854A - 다층 금속배선 형성방법 - Google Patents

다층 금속배선 형성방법 Download PDF

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KR970003854A
KR970003854A KR1019950018898A KR19950018898A KR970003854A KR 970003854 A KR970003854 A KR 970003854A KR 1019950018898 A KR1019950018898 A KR 1019950018898A KR 19950018898 A KR19950018898 A KR 19950018898A KR 970003854 A KR970003854 A KR 970003854A
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KR1019950018898A
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고재홍
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 다층 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 절연막상부에 하부 금속배선을 형성하고, 전체적으로 제1산화막을 얇은 두께로 형성하고, 그 상부에 평탄화용 절연막을 형성한 다음, 그 상부에 제2산화막을 증착하는 단계와, 상기 제2산화막 상부에 콘택 마스크용 감광막패턴을 형성하고, 습식식각으로 노출된 제2산화막의 일정 두께를 식각하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하고, 전면성건식식각으로 나머지 제2산화막, 평탄화용 절연막 및 제1산화막을 순차적으로 식각하여 상기 하부 금속배선이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상부 금속배선층을 증착하여 노출된 하부 금속배선에 콘택하는 단계를 포함하는 것이다.
그로 인하여 콘택홀의 에스펙트비를 최소화하며, 상부 금속배선층의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있다.

Description

다층 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명에 의해 다층 금속배선을 형성하는 공정단계를 도시한 단면도.

Claims (5)

  1. 절연막상부에 하부 금속배선을 형성하고, 전체적으로 제1산화막을 얇은 두께로 형성하고, 그 상부에 평탄화용 절연막을 형성한 다음, 그 상부에 제2산화막을 증착하는 단계와, 상기 제2산화막 상부에 콘택 마스크용 감광막패턴을 형성하고, 습식식각으로 노출된 제2산화막의 일정 두께를 식각하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하고, 전면성 건식식각으로 나머지 제2산화막, 평탄화용 절연막 및 제1산화막을 순차적으로 식각하여 상기 하부 금속배선이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상부 금속배선층을 증착하여 노출된 하부 금속배선에 콘택하는 단계를 포함하는 다층 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막을 습식식각하는 것은 BOE 용액 또는 희석 HF 용액인 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막을 습식식각할때 평탄화용 절연막을 식각되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 평탄화용 산화막은 SOG막인 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전면성 건식식각은 CF4+O2또는 C2F6+O2인 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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