KR960002561A - 반도체소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성에 관한 것으로, 반도체소자에서 콘택홀의 크기가 점점 작아짐에 따라 콘택홀의 에스펙트비가 증대하여 후속공정에서 스텝커버리지가 저하되는 것을 해결하기 위하여 절연막의 두께를 예정된 두께보다 1.5배로 증착한후, 콘택영역의 절연막을 일정두께 식각하여 제1홈을 형성하고, 블랑켓 식각을 실시하여 제1홈의 상부 측벽이 라운드되도록 된 제2홈을 형성하고, 콘택마스크용 감광막패턴을 이용한 식각공정으로 제2홈의 저부를 식각하여 상부의 면적은 넓고, 하부의 면적이 좁은 콘택홀을 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의해 반도체소자의 콘택홀 형성단계를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 도전층 상부에 절연막을 증착하고, 그 상부에 콘택마스크용 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 절연막의 일정두께를 건식식각하여 제1홈을 형성하는 단계와, 상기 감광막턴을 제거하고, 블랑켓 식각으로 상기 절연막의 일정두께를 전체적으로 식각하여 측벽 상부가 라운드된 제2홈을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상부에 콘택마스크용 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 제2홈 저부의 절연막을 건식식각하여 하부 도전층이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 감광막턴을 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층 상부에 형성되는 절연막은 후공정의 블랑켓 식각공정으로 제2홈을 형성할 때 타겟(target)두께를 대비하여 예정된 절연막 두께의 1.5배로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막을 건식식각하여 제1홈을 형성할때 타겟용으로 더 두껍게 증착된 두께 정도를 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 건식식각은 CHF3또는 CF4를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014246A KR960002561A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014246A KR960002561A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002561A true KR960002561A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014246A KR960002561A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002561A (ko) |
-
1994
- 1994-06-22 KR KR1019940014246A patent/KR960002561A/ko not_active Application Discontinuation
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