KR970051992A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
미세 콘택을 형성하는 반도체소자의 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체소자 제조방법은, 반도체기판상에 제1절연층, 제2절연층, 제3절연층 및 제1도전층을 차례로 적층하는 단계, 통상의 사진식각공정을 통하여 반도체기판의 소정 위치에 상기 제1도전층이 식각된 형태의 제1도전층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1도전층 패턴이 형성된 기판의 전면에 제2도전층을 형성하는 단계, 상기 제2도전층을 에치백하여 상기 제1도전층 패턴의 측벽에 패턴의 크기를 줄이는 스페이서 형태의 제2도전층 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제2도전층 패턴을 식각마스크로 하여 하부의 상기 제3절연층, 제2절연층 및 제1절연층을 차례로 식각하여 반도체기판을 노출시키는 콘택부를 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 미세 콘택을 간단한 공정에 의하여 형성시킬 수 있으며, 폴리머 발생이 방지되어 소자의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 캐패시터의 형성과정을 나타내는 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체기판상에 제1절연층, 제2절연층, 제3절연층 및 제1도전층을 차례로 적층하는 단계; 통상의 사진식각공정을 통하여 반도체기판의 소정 위치에 상기 제1도전층이 식각된 형태의 제1도전층 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전층 패턴이 형성된 기판의 전면에 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층을 에치백하여 상기 제1도전층 패턴의 측벽에 패턴의 크기를 줄이는 스페이서 형태의 제2도전층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전층 패턴을 식각마스크로 하여 하부의 상기 제3절연층, 제2절연층 및 제1절연층을 차례로 식각하여 반도체기판을 노출시키는 콘택부를 형성하는 단계; 를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택부를 형성하는 단계 후에 상기 콘택부를 포함하여 기판 전면에 제3도전층을 형성하는 단계; 상기 통상이 사진식각공정을 수행하여 상기 콘택부로부터 수평적으로 소정의 길이로 연장되며 상기 제3절연층을 노출시키는 T자형 도전층 패탄을 형성하는 단계; 및 상기 제3절연층을 습식 식각하여 제거하는 단계; 를 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950055734A KR970051992A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950055734A KR970051992A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970051992A true KR970051992A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950055734A KR970051992A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970051992A (ko) |
-
1995
- 1995-12-23 KR KR1019950055734A patent/KR970051992A/ko not_active Application Discontinuation
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