KR930014987A - 원통형 전하저장전극 제조방법 - Google Patents
원통형 전하저장전극 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적 DRAM 셀의 원통형 전하저장전극 제조방법에 관한 것으로 원통형 전하저장전극의 제조방법을 단순하게 하고 전하저장전극의 표면적을 극대화시키도록 단면구조가 "
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 원통형 전하저장전극을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- DRAM셀의 원통형 전하저장전극 제조방법에 있어서, MOSFET를 포함하는 전체구조 상부에 제1전연층을 형성하고, 제1절연층의 예정된 부분이 제거되어 드레인이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 전하저장전극용 제1도전층을 전체적으로 증착하여 드레인에 콘택하고, 그 상부에 BPSG층을 평탄하게 도포한 후, 포토마스크 공정으로 드레인 상부의 일정부분의 BPSG층을 제거한 BPSG층 패턴을 형성하는 단계와, 전하저장전극용 제2도전층을 전체적으로 증착하여 내측의 일정부분이 하부의 제1도전층에 접속되고, 그 상부에 감광막을 평탄하게 도포한 후, 전하저장전극 마스크를 이용하여 드레인 상부의 일정부분만 남긴 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출된 부분의 전하저장전극용 제2도전층, BPSG층 패턴, 전하저장전극용 제1 도전층을 각각 예정된 식각방법으로 제거하여 전하저장전극용 제1 및 제2도전층 패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계로 이루어지는 다면형상이 ""으로 된 전하저장전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 원통형 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전하저장전극용 제1 및 제2도전층 패턴을 형성하기 위한 예정된 식각방법은 비등방성 식각공정으로 식각하는 것을 특징으로 하는 원통형 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 BPSG층 패턴을 제거하는 에정된 식각방법은 습식식각으로 하여 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 원통형 전하저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024883A KR930014987A (ko) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 원통형 전하저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024883A KR930014987A (ko) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 원통형 전하저장전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014987A true KR930014987A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67345863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024883A KR930014987A (ko) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 원통형 전하저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930014987A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527549B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
| KR100489354B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의전하저장전극형성방법 |
-
1991
- 1991-12-28 KR KR1019910024883A patent/KR930014987A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489354B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의전하저장전극형성방법 |
| KR100527549B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
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