KR930014654A - 2중 원통형 구조의 전하저장전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 DRAM셀에서 원통형 전하저장전극 제조방법에 관한 것으로, 특히 원통형 전하저장전극의 제조방법을 간단히 하고, 전극의 표면적을 증가시키기 위해 원통형 전하저장전극 내부에 직경이 더 작은 원통형 전하저장전극을 형성하는 이중 원통 구조의 전하저장전극 제조방법 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본발명의 제1실시예에 의해 2중 원통헝 전하저장전극을 제조하는 단계를 도시한 단면도.
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제2실시예에 의해 2중 원통형 전하저장전극을 제조하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (6)
- 원통형 전하저장전극을 갖는 DRAM셀의 캐패시터 제조방법에 있어서, MOSEFET 및 필드산화막이 형성된 기판상부에 BPSG층을 평탄하게 형성하고, 그 상부에 질화막을 형성한후 드레인이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 전하저장전극용 제1도전층을 증착하여 드레인에 콘택시키고, 그 상부에 산화막을 예정된 두께로 형성한다음, 산화막 상부에 제1감광막 패턴을 형성하고, 드레인 상부의 일정부분의 산화막을 식각하여 제1도전층을 노출시킨후 상기 제1감광막 패턴을 제거하는 단계와, 다시 산화막 상부에 전하저장전극 마스크 패턴의 제2감광막패턴을 형성하고, 노출된 하부의 산화막과 전하저장전극용 제1도진층을 각각 식각하여 산화막패턴과 제1도전층 패턴을 형성하고 상기 제2감광막 패턴을 제거하는 단계와, 전체구조 상부에 전하저장전극용 제2도전층을 증착하고, 건식식각으로 제2도전층을 식각하여 산화막 패턴내, 외측벽에 제2도전층 스페이서를 각각 형성하는 단계와,상기 산화막 패턴을 제거하여 제1도전층 패턴 측멱과 중앙부에 제2도전층 스페이서가 접속되어 단면구조가 ""의 형상으로 된 전하저장전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2중 구조의 원통형 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전하저장전극용 제1도전층 상부에 형성하는 산화막의 두께는 5000-15000Å인 것을 특징으로 하는 2중 구조의 원통형 전하저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 패틴 내측벽에 형성되는 도전층 스페이서의 평면구조는 원형 또는 사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 2중 구조의 원통형 전하저장전극 제조방법.
- 원통형 전하저장전극을 갖는 DRAM셀의 캐패시터 제조방법에 있어서, MOSEFET 및 필드산화막이 형성된 기판상부에 BPSG층을 평탄하게 형성하고, 그 상부에 질화막을 및 제1산화막을 각각 예정된 두께로 형성한 후드레인이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 전하저장전극용 제1도전층을 증착하여 드레인에 콘택시키고, 그 상부에 제2산화막을 예정된 두께로 형성한 다음, 제2산화막 상부에 제1감광막 패턴을 형성하고, 드레인 상부의 일정부분의 제2산화막을 식각하여 제1도전층을 노출시킨후 상기 제1감광막 패턴을 제거하는 단계와, 다시 제2산화막 상부에 전하저장전극 마스크 패턴의 제2감광막패턴을 형성하고, 노출된 제2산화막과 전하저장전극용 제1도전층을 각각 식각하여 제2산화막 패턴과 제1도전층 패턴을 형성하고 상기 제2감광막 패턴을 제거하는 단계와, 전체 구조 상부에 전하저장전극용 제2도전층을 증착하고, 건식식각으로 제2도전층을 식각하여 제2산화막 패턴내, 외측멱에 제2도전층 스페이서를 각각 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 전하저장전극용 제2도전층을 증착하고, 건식식각으로 제2도전층을 식각하여 제2산화막 패턴 내, 외측벽에 제2도전층 스페이서를 각각 형성하는 단계와, 상기 제1산화막과 제2산화막 패턴을 제거하여 제1도전층 패턴측벽과 중앙부에 제2도전층 스페이서가 접속되어 단면구조가 ""의 형상으로 되고, 제1도전층 패턴하부가 노출되는 전하저장전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2중 구조의 원통형 전하저장전극 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 산화막 내측벽에 형성되는 도전층 스페이서의 평면구조는 원형 또는 사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 읜통형 전하저장전극 제조방법.
- 제4항에 있어서, 제1산화막과 제2산화막 패턴을 식각하는 것은 습식식각으로 제1도전층 패턴 하부 및 상부의 제1산화막과 제2산화막 패턴을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 원통형 전하저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024110A KR930014654A (ko) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 2중 원통형 구조의 전하저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024110A KR930014654A (ko) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 2중 원통형 구조의 전하저장전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014654A true KR930014654A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67345709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024110A KR930014654A (ko) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 2중 원통형 구조의 전하저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930014654A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312380B1 (ko) * | 1994-07-06 | 2003-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 평탄화 방법 |
-
1991
- 1991-12-24 KR KR1019910024110A patent/KR930014654A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312380B1 (ko) * | 1994-07-06 | 2003-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 평탄화 방법 |
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