KR970030823A - 반도체 장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970030823A KR970030823A KR1019950042636A KR19950042636A KR970030823A KR 970030823 A KR970030823 A KR 970030823A KR 1019950042636 A KR1019950042636 A KR 1019950042636A KR 19950042636 A KR19950042636 A KR 19950042636A KR 970030823 A KR970030823 A KR 970030823A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoresist
- silylated
- storage node
- photoresist pattern
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
실린더형의 커패시터 제조방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 반도체기판 상에 스토리지전극을 각 셀단위로 한정하기 위한 감광막패턴을 형성하는 단계, 감광막의 표면을 실릴레이션시키는 단계, 실릴레이션된 감광막패턴을 식각저지층으로 하여 하부도전층을 식각하여 스토리지 노드를 패터닝하는 단계, 실릴레이션되지 않은 부위의 감광막을 제거하는 단계, 결과물에 대해 전면 이방성 식각을 실시함으로써, 스토리지 노드를 각 셀 단위로 한정함과 동시에 실린더형의 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 공정을 단순하면서도 최대의 커패시턴스를 확보할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 설명하기 위하여 공정순서에 따라 도시한 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체기판 상에 스토리지전극을 각 셀단위로 한정하기 위한 감광막패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막의 표면을 실릴레이션시키는 단계; 상기 실릴레이션된 감광막패턴을 식각저지층으로 하여 하부도전층을 식각하여 스토리지 노드를 패터닝하는 단계; 실릴레이션되지 않은 부위의 감광막을 제거하는 단계; 상기 결과물에 대해 전면 이방성 식각을 실시함으로써, 스토리지 노드를 각 셀 단위로 한정함과 동시에 실린더형의 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막의 실릴레이션된 부위의 두께가 300Å∼2,000Å 정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실릴레이션된 감광막을 등방성 식각을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042636A KR970030823A (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042636A KR970030823A (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030823A true KR970030823A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66587951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042636A KR970030823A (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030823A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100349697B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-08-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실릴레이션에 의한 패턴묘사를 이용한 반도체소자의 커패시터형성방법 |
-
1995
- 1995-11-21 KR KR1019950042636A patent/KR970030823A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100349697B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-08-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실릴레이션에 의한 패턴묘사를 이용한 반도체소자의 커패시터형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960006012A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR980006303A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970030823A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR930014987A (ko) | 원통형 전하저장전극 제조방법 | |
| KR960005846A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950012704A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950025993A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 | |
| KR970054009A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR920008862A (ko) | 고용량의 커패시터를 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970003959A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR960006026A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970030807A (ko) | 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960005992A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970063736A (ko) | 반도체 메모리 소자 제조방법 | |
| KR960006028A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR970003950A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970054019A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 | |
| KR970030806A (ko) | 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970052320A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR960043152A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| KR950034782A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026856A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970052485A (ko) | 커패시터의 스토리지 전극 제조 방법 | |
| KR960015906A (ko) | 반도체 메모리장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |