KR970063736A - 반도체 메모리 소자 제조방법 - Google Patents
반도체 메모리 소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 위상반전 마스크를 이용한 커패시터의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 반도체 메모리 소자 제조방법은 기판상에 전도층을 증착하고 커패시터 영역에만 남도록 패터닝 하는 단계; 상기 전도층위에 포토레지스트를 중착하는 단계; 아웃리거 위상반전 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 포토레지스트를 패터닝 하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 전도층을 일정 깊이로 식각하여 요철구조를 갖는 스토리지 노드를 형성하는 단계; 그리고 상기 스토리지 노드 표면에 유전체막 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 (a) 내지 (f)는 본 발명의 반도체 메모리 소자 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (2)
- 기판상에 전도층을 증착하고 커패시터 영역에만 남도록 패터닝 하는 단계; 상기 전도층위에 포토레지스트를 중착하는 단계; 아웃리거 위상반전 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 전도층을 일정 깊이로 식각하여 요철구조를 갖는 스트로지 노드를 형성하는 단계; 그리고 상기 스토리즈 노드 표면에 유전체막 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 네가티브형 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004835A KR970063736A (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 반도체 메모리 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004835A KR970063736A (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 반도체 메모리 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063736A true KR970063736A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66221583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960004835A KR970063736A (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 반도체 메모리 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063736A (ko) |
-
1996
- 1996-02-27 KR KR1019960004835A patent/KR970063736A/ko not_active Application Discontinuation
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