KR970018036A - 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체장치의 콘택홀 형성방법을 개시한다. 제1도전층, 제1절연층. 제2도전층 및 제2절연층을 구비한 반도체기판 상에 콘택홀을 형성하는데 있어서, 상기 제2절연층상에 포토레지스트를 형성하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로하여 상기 제2절연층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트 및 제2절연층측벽에 폴리머를 증착하는 단계; 상기 폴리머, 포토레지스트 및 제2절연층을 마스크로 상기 제2도전층과 제1절연층을 패터닝하여 제2도전층을 관통하여 제1도전층을 노출하는 단계; 및 상기 포토레지스트와 상기 폴리머를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법을 제공한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 종래 콘택홀이 가지던 제1도전층과 제2도전층 콘택홀 면적의 불균형으로 인한 반도체 소자의 특성저하를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제8도는 본 발명에 의한 콘택홀 형성방법을 나타낸 단면도와 평면도이다.
Claims (3)
- 제1도전층, 제1절연층, 제2도전층 및 제2절연층을 구비한 반도체기판 상에 콘택홀을 형성하는데 있어서, 상기 제2절연층상에 포토레지스트를 형성하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로하여 상기 제2절연층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트 및 제2절연층측벽에 폴리머를 증착하는 단계; 상기 폴리머, 포토레지스트 및 제2절연층을 마스크로 상기 제2도전층과 제1절연층을 패터닝하여 제2도전층을 관통하여 제1도전층을 노출하는 단계; 및 상기 포토레지스트와 상기 폴리머를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 상기 제2절연층을 패터닝한 후 폴리머를 증착하기 전에 먼저 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머는 플라즈마 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029513A KR970018036A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029513A KR970018036A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018036A true KR970018036A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66596304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029513A KR970018036A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018036A (ko) |
-
1995
- 1995-09-11 KR KR1019950029513A patent/KR970018036A/ko not_active Application Discontinuation
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