KR940015698A - 미세한 감광막 패턴 형성 방법 - Google Patents

미세한 감광막 패턴 형성 방법 Download PDF

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KR940015698A
KR940015698A KR1019920023042A KR920023042A KR940015698A KR 940015698 A KR940015698 A KR 940015698A KR 1019920023042 A KR1019920023042 A KR 1019920023042A KR 920023042 A KR920023042 A KR 920023042A KR 940015698 A KR940015698 A KR 940015698A
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김일욱
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 미세한 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 0.1㎛의 선폭 사이즈를 갖는 콘택홀을 형성하기 위하여 공지의 기술로 감광막 패턴을 형성하고 감광막 패턴의 측벽에 폴리머 스페이서를 형성하고 노출된 하부층을 식각하는 공정기술이다.

Description

미세한 감광막 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의해 미세 감광막 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 미세한 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 도전층 상부에 절연층을 형성하고, 절연층 상부에 공지의 기술로 콘택홀 마스크용 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴 상부에 플루어-카본(Fluor-Carbon)계통의 폴리머층을 예정된 두께로 증착하는 단계와, 블란켓 에치 공정으로 상기 폴리머층을 식각하여 절연층을 노출시키는 동시에 감광막 패턴 측벽에 폴리머 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 폴리머 스페이서와 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 노출된 절연층을 식각하여 도전층이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세한 감광막 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리머층은 플라즈마 발생 장치에서 CHF3/CF4/Ar개스의 조합과 300mTorr, 이상의 진공도를 갖는 조건에서 증착하는 것을 특징으로 하는 미세한 감광막 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 폴리머층을 증착하는 것은 감광막 패턴을 보호하기 위해 전극의 온도가 100℃이하에서 실시하는 것을 특징으로 하는 미세한 감광막 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 폴리머 스페이서를 형성하기 위한 블란켓 에치 공정을 폴리머층을 증착한 동일 플라즈마 발생 장치에서 O2/Ar개스의 조건에서 실시하는 것을 특징으로 하는 미세한 감광막 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100272516B1 (ko) * 1998-03-09 2000-12-01 김영환 반도체소자의 패터닝 방법
KR100280622B1 (ko) * 1998-04-02 2001-03-02 윤종용 반도체 장치의 콘택 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272516B1 (ko) * 1998-03-09 2000-12-01 김영환 반도체소자의 패터닝 방법
KR100280622B1 (ko) * 1998-04-02 2001-03-02 윤종용 반도체 장치의 콘택 형성 방법

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