KR960002565A - 콘택홀 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀(CONTACT HOLE) 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형성시 건식식각의 일방향성 특성과 습식식각의 등방향성 특성을 반복적으로 이용함으로써 콘택 부위의 크기(SIZE)는 일정하게 유지하면서 콘택홀의 단차비를 감소시켜 후공정의 금속 증착시 스텝커버리지의 향상을 시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 제2실시예에 의해 콘택홀을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 도전층 상부에 절연막을 증착하고, 그상부에 콘택마스크용 감광막패턴을 형성한 후 콘택영역의 절연막을 식각하여 하부도전층이 노출되는 콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 감광막 패턴을 마스크로 사용하고, 절연막을 식각할때 절연막의 일정두께를 건식식각으로 식각하여 제1홈을 형성하는 단계와, 습식식각으로 제1홈의 측벽과 저부의 절연막을 일정두께를 식각하여 제2홈을 형성하는 단계와, 건식식각 공정으로 제2홈 저부의 절연막을 식각하여 도전층이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계로 이루어져 콘택홀의 측벽에 단차가 완만하게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.
- 도전층 상부에 절연막을 증착하고, 그상부에 콘택마스크용 감광막패턴을 형성한 후 콘택영역의 절연막을 식각하여 하부도전층이 노출되는 콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 감광막 패턴을 마스크로 사용하고, 절연막을 식각할때 절연막의 일정두께를 습식식각으로 식각하여 제1홈을 형성하는 단계와, 건식식각으로 제1홈의 저부의 절연막을 일정두께를 식각하여 제2홈을 형성하는 단계와, 습식식각 공정으로 제2홈 저부와 측벽의 절연막을 일정두께 식각하여 면적이 넓어진 제3홈을 형성하는 단계와, 건식식각으로 제3홈의 저부의 절연막을 식각하여 하부 도전층이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와 상기 감광막패턴을 제거하는 단계로 이루어져 콘택홀의 측벽에 단차가 완만하게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014258A KR960002565A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014258A KR960002565A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002565A true KR960002565A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014258A KR960002565A (ko) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002565A (ko) |
-
1994
- 1994-06-22 KR KR1019940014258A patent/KR960002565A/ko not_active Application Discontinuation
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