KR980005675A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 금속 콘택의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 절연막을 형성하는 단계 ; 절연막 상부에 콘택홀 형성을 위하여 예정된 형태로 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계 ; 레지스트막을 식각 마스크로하여 반도체 기판의 표면이 노출되도록 절연막을 소정의 두께만큼씩 나누어 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 나타낸 공정 단면도.
Claims (3)
- 반도체 기판 상부에 절연막을 형성하는 단계 ; 상기 절연막 상부에 콘택홀 형성을 위하여 예정된 형태로 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계 ; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 상기 반도체 기판의 표면이 노출되도록 상기 절연막을 소정의 두께 만큼씩 나누어 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 기본 전극 및 전도막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막의 식각 공정은 습식식각하는 제1식각공정과, 건식 식각하는 제2식각 공정, 다시 한 번 습식식각하는 제3식각공정 및 마지막으로 건식식각하는 제4식각공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024530A KR980005675A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024530A KR980005675A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005675A true KR980005675A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024530A KR980005675A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005675A (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024530A patent/KR980005675A/ko not_active Application Discontinuation
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