KR970052192A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법이 개시된다.
본 발명은 불순물이 도핑된 폴리실리콘과 같은 무기질의 전도성 물질을 콘택홀 형성을 위한 식각마스크로 사용하므로써, 인시덴트 이온의 수직입사와 폴리머 미발생으로 인하여 콘택홀의 사이즈를 0.5㎛ 이하로 형성하더라도 양호한 형상을 갖게 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 절연막이 형성되고, 절연막상에 무기질의 전도성 물질이 형성되는 단계; 상기 무기질의 전도성 물질상에 콘택영역이 개발된 포토레지스트 패턴이 형성되는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로한 식각공정으로 무기질의 전도성 물질이 패터닝되는 단계; 및 상기 포토레지스터 패턴을 제거한 후, 상기 패터닝된 무기질의 전도성 물질을 식각마스크로한 상기 절연막 식각종어에 의해 콘택홀이 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 무기질의 전도성 물질은 불순물이 도핑된 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046327A KR970052192A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950046327A KR970052192A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052192A true KR970052192A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046327A KR970052192A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052192A (ko) |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046327A patent/KR970052192A/ko not_active Application Discontinuation
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