KR950014972A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 라인폭이 라인간의 스페이서 폭 보다 작은 반도체 장치에서, 도전층의 상부에 돌출부를 갖는 마스크 절연막을 형성하고, 상기 돌출부의 측벽에 상기 마스크 절연막과는 식각 선택비 차가 큰 물질로 스페이서를 형성한 후, 상기 스페이서를 마스크로하여 상기 마스크 절연막 및 도전층을 제거하여 라인을 형성하였으므로, 스페이서의 높이에 따라 라인의 폭이 결정되므로 미세 패턴의 형성이 용이하여 종래의 제조 장비나 노광 마스크를 사용하여 반도체 장치를 고집적화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명에 따른 반도테 장치의 레이 아웃도,
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치 제조에서 워드 라인 및 활성화 영역의 레이 아웃도,
제3도 (A)∼(D)는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 공정도.
Claims (3)
- 상기 절연막상에 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층상에 소정 두께의 마스크 절연막을 형성하는 공정과, 상기 도전층의 라인간의 스페이서로 예정된 부분이 돌출되도록 상기 마스크절연막을 소정 두께 제거하여 돌출부를 형성하는 공정과, 상기 돌출부의 상기 마스크 절연막과는 식각 선택비 차가 있는 물질로 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 스페이서를 마스크로 하여 상기 노출되어 있는 마스크 절연막과 도전층을 제거하여 라인을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크 절연막이 화학기상 증착 방법으로 형성되는 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서를 상기 마스크 절연막과는 식각 선택비가 있는 폴리 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024237A KR950014972A (ko) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024237A KR950014972A (ko) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950014972A true KR950014972A (ko) | 1995-06-16 |
Family
ID=66825433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930024237A KR950014972A (ko) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950014972A (ko) |
-
1993
- 1993-11-15 KR KR1019930024237A patent/KR950014972A/ko not_active Application Discontinuation
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