KR970016758A - 중합체(polymer)를 이용한 미세패턴 형성방법 - Google Patents
중합체(polymer)를 이용한 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970016758A KR970016758A KR1019950029507A KR19950029507A KR970016758A KR 970016758 A KR970016758 A KR 970016758A KR 1019950029507 A KR1019950029507 A KR 1019950029507A KR 19950029507 A KR19950029507 A KR 19950029507A KR 970016758 A KR970016758 A KR 970016758A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating layer
- forming
- pattern
- photoresist pattern
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
중합체를 이용한 미세패턴 형성 방법이 개시되어 있다. 본 발명은 제 1절연층 사에 패터닝하고자 하는 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 하부 포토레지스트, 제 2절연층, 및 상부 포토레지스트를 차례로 형성학, 상기 상부 포토레지스트를 통상의 사진 공정으로 패터닝하여 한계 해상도의 간격으로 분리된 상부 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 상부 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 2절연층을 식각함으로써 제 2절연츠 패턴을 형성하고, 상기 제 2절연층 패턴 및 상기 도전층을 식각저지층으로 하여 상기 상부 포토레지스트 패턴 및 상기 하부 포토레지스트를 식각하여 상기 상부 포토레지스트 패턴을 제거함과 동시에 상기 제 2절연층 아래에 하부 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 2절연층 패턴을 CHF3가스를 사용하여 제거함으로써 상기 하부 포토레지스트 패턴 측벽에 CHFX계의 물질로 이루어진 일정 두께의 중합체를 형성하고, 상기 중합체를 마스크로 하여 상기 도전층을 식각하여 한계 해상도보다 작은 크기의 도전층 간격을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도 내지 제 3도는 본 발명의 실시예에 의한 미세패턴 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체기판 상에 트랜지스터를 보호하기 위한 제 1절연층을 스페이서 형태로 형성하는 단계 ; 상기 제 1절연층 전면에 소오스와 드레인 영역을 채우는 도전층을 형성하는 단계 ; 상기 도전층 전면에 하부 포토레지스트, 제 2절연층, 및 상부 포토레지스트를 차례로 형성하는 단계 ; 상기 상부 포토레지스트를 패터닝하여 상기 소오스 및 드레인 영역 상부에 상부 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 상부 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제2절연층을 식각함으로써, 제2절연층 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 제2절연층 패턴이 형성된 반도체기판의 상기 제 2절연층 패턴 및 상기 도전층을 식각 저지층으로 하여 상기 상부 포토레지스트 패턴 및 상기 하부 포토레지스트를 식각함으로써, 하부 포토레지스트 패턴을 형성함과 동시에 상부 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 ; 상기 제 2절연층을 제거함과 동시에 상기 하부 포토레지스트 패턴 측벽에 일정 두께의 다중합체를 형성하는 단계 ; 및 상기 하부 포토레지스트 패턴 및 상기 다중합체를 마스크로 하여 상기 도전층을 식각함으로서, 상기 소오스 및 드레인 영역을 분리하는 패트 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2절연층은 산화층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2절연층은 아르곤(Ar), CHF3및 CF4가스를 사용하여 제거함으로써, 상기 하부 포토레지스트 패턴 측벽에 CHFX계의 중합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029507A KR970016758A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 중합체(polymer)를 이용한 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029507A KR970016758A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 중합체(polymer)를 이용한 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016758A true KR970016758A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66596791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029507A KR970016758A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 중합체(polymer)를 이용한 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016758A (ko) |
-
1995
- 1995-09-11 KR KR1019950029507A patent/KR970016758A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950015770A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR930018654A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970018109A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970016758A (ko) | 중합체(polymer)를 이용한 미세패턴 형성방법 | |
| KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR960026297A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR950034415A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR950021130A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR940015698A (ko) | 미세한 감광막 패턴 형성 방법 | |
| KR960026303A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR0186181B1 (ko) | 반도체 소자의 식각방법 | |
| KR950027971A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR940004836A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR950014972A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970023731A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR960015751A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
| KR970003466A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026174A (ko) | 반도체 메모리장치의 매몰접촉창 형성방법 | |
| KR960002547A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960005792A (ko) | 미세 콘택 형성 방법 | |
| KR960001884A (ko) | 미세콘택홀 형성방법 | |
| KR970052224A (ko) | 반도체 장치의 접촉장 형성방법 | |
| KR970018180A (ko) | 반도체 소자 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |