KR960001884A - 미세콘택홀 형성방법 - Google Patents

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    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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Abstract

본 발명은 미세콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 스페이서를 이용한 미세콘택홀 형성시 발생되는 문제점을 해결하기 위하여, 반도체기판 상부에 형성된 하부절연층 상부에 도핑된 다결정실리콘막과 도핑되지 않은 다결정실리콘막을 순차적으로 종착하고 마스크공정으로 도핑된 다결정실리콘막과 도핑되지 않은 다결정실리콘막패턴을 형성한 다음, 상기 두 개의 다결정실리콘막패턴이 갖는 식각선택비 차이를 이용하여 상기 도핑된 다결정실리콘막패턴을 측면식각하고 감광막을 이용하여 상부구조를 평탄화시킨 다음, 상기 두 개의 다결정실리콘막패턴을 제거하고 상기 감광막을 마스크로 하는 상기 하부절연층 식각공정으로 미세콘택홀을 형성함으로써 반도체기판의 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 할 수 있는 기술이다.

Description

미세콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 내지 제5도는 본 발명의 실시예로서 미세콘택홀 형성공정을 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 미세콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 도핑된 다결정실리콘막과 도핑되지 않은 다결정실리콘막을 일정두께 순차적으로 증착하는 공정과, 상기 도핑되지 않은 다결정실리콘막 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 도핑되지 않은 다결정실리콘막과 도핑된 다결정실리콘막을 순차적으로 식각함으로써 도핑되지 않은 다결정실리콘막 패턴과 도핑된 다결정실리콘막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하고 습식 또는 건식방법으로 상기 도핑된 다결정실리콘막패턴을 일정두께 측면식각하는 공정과, 상기 도핑되지 않은 다결정실리콘막패턴과 같은 높이로 감광막을 도포하는 공정과, 상기 도핑되지 않은 다결정실리콘막패턴과 도핑된 다결정실리콘막패턴을 건식 또는 습식방법으로 제거하고 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 하부절연층을 식각함으로써 상기 반도체기판이 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 미세콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습식방법은 도핑된 다결정실리콘막패턴과 도핑되지 않은 다결정실리콘막패턴의 식각선택비 차이를 이용하는 것을 특징으로 하는 미세콘택홀 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 습식방법은 HF나 CH3COOH등의 혼합물을 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 미세콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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