KR950012677A - 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 Download PDF

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이헌철
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김주용
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막(Field Oxide) 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판에 토폴러지 (Topology)를 갖는 필드 산화막을 기존의 방법으로 형성한 다음. 전체구조 상부에 포토레지스트를 도포하고, 상기 필드 산화막이 노출되도록 포토레지스트를 패턴화한 후, 액상 선택적 산화막 증착(LPD . Liquid Phase Selective Oxide Deposition) 기술을 이용하여 노출된 필드 산화막 상부에 산화막(SiO2)을 적층시키고, 상기 패턴화된 포토레지스트를 식각마스크로 하여 습식 또는 건식식각을 실시하여 필드 산화막을 실리콘 기판의 초기 표면까지 식각한 후 상기 패턴화된 포토레지스트를 제거하므로 토폴러지를 갖지 않는 필드 산화막이 실리콘 기판과 평탄화된 상태로 형성되어 후속 공정을 용이하게 진행시킬 수 있는 반도체 소자의 필드 산화막을 형성하는 방법에 관하여 기술된다.

Description

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드 산화막을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서. 실리콘 기판(1)상에 토폴러지를 갖는 필드 산화막(2)을 공지의 방법으로 형성한 후, 전체구조 상부에 포토레지스트(3)를 도포한 다음, 활성영역 마스크를 사용하여 상기 필드 산화막(2)이 노출되도록 상기 포토레지스트(3)를 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 H2SiF6의 수용액에 H3B03를 첨가한 액상 선택적 산화막 증착(LPD) 기술을 이용하여 상기 노출된 필드 산화막(2) 상부에 산화막(SiO2) (4)을 적층하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패턴화된 포토레지스트(3)를 식각마스크로 하여 습식 또는 건식식각공정으로 상기 산화막(4) 및 필드 산화막(2) 식각을 실리콘 기판(1)의 초기 표면까지 식각하여 상부면이 평탄한 필드 산화막(2a)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패턴화된 포토레지스트(3)를 제거하여 실리콘 기판(1) 표면에 토폴러지를 변화시키지 않은 필드 산화막(2a)을 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93021058A 1993-10-12 1993-10-12 Method for forming the field oxide of the semiconductor element KR960012641B1 (en)

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