KR970018126A - 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
미세 패턴 형성 방법Info
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Abstract
반사 방지막 대신에 스핀-온 글라스를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 요철을 가지고 있는 반도체 기판 위에 반사 방지를 위하여 스핀-온 글라스를 도포하여 평탄화시키고, 상기 스핀-온 글라스 위에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 발명에 의하여 상기 스핀-온 글라스를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 경우, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 스핀-온 글라스를 식각하는 단계에서 식각 선택비가 충분히 높기 때문에 상기 포토레지스트 패턴의 옆모습이 나빠지는 문제가 발생하지 않는다. 또한, 상기 스핀-온 글라스 패턴을 불산 수용액으로 용이하게 제거되기 때문에 후속 공정에서 이로 인한 불량을 발생시키지 않는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명에 의하여 스핀-온 글라스를 이용하여 게이트 전극을 형성하는 미세 패턴 형성 방법을 보여주는 단면도들이다.
Claims (3)
- 요철을 가지고 있는 반도체 기판 위에 대상 물질층을 증착하는 단계; 상기 대상 물질층 위에 보조 절연층을 증착하는 단계; 상기 보조 절연층 위에 스핀-온 글라스를 도포하여 평탄화시키는 단계; 상기 스핀-온 글라스 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 스핀-온 글라스, 상기 보조 절연층 및 상기 대상 물질층을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴 및 식각된 스핀-온 글라스를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보조 절연층은 고온 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각된 스핀-온 글라스를 불산 수용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032998A KR970018126A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 미세 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032998A KR970018126A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 미세 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018126A true KR970018126A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032998A KR970018126A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 미세 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018126A (ko) |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032998A patent/KR970018126A/ko not_active Application Discontinuation
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