KR940001326A - 미세 패턴 형성을 위한 삼층 감광막 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메세 패턴을 형성하기 위한 삼층 감광막 제조방법에 관한 것으로, 허층 감광막의 증착 및 베이크(bake)방법, 그리고 이 하층 감광막을 이용한 금속 및 폴리실리콘 식각후 발생되는 패턴의 임계 크기와 변화 및 SOG(spin on glass)막 제거공정에서 발생되는 하층 감광막 측벽 부산물 형성을 억제하여 하층 감광막 아래의 물질을 미세패턴하기에 용이한 삼층 감광막 제조방법에 관한 것이다.

Description

미세 패턴 형성을 위한 삼층 감광막 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 삼층 감광막 형성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반도체 기판 2 : 폴리실리콘막

3 : 하층 감광막 4 : SOF(spin on glass)막

5 : 상층 감광막

Claims (4)

1. 미세 패턴을 형성하기 위한 삼층 감광막 제조방법에 있어서, 반도체 기판(1) 상에 식각될 폴리실리콘막(2)을 증착시켜 표면 처리하고 오븐에서 구운후에 상기 증착한 폴리실리콘막(2) 상부에 하층 감광막(3)을 도포하고 트랙(track)에서 경화시키는 제1공정, 상기 제1공정 후에 중간층 SOG막(4), 상층 감광막(5)을 순서적으로 도포하고 상기 상층 감광막(5)을 선택 식각한 후에 상기 SOG막(4), 상기 하층 감광막(3)을 차례로 패턴에 맞추어 선택 식각하는 제2공정, 상기 제2공정 후에 잔유된 상기 상층 감광막(5)을 완전히 식각하고 상기 잔유된 SOG막(4)을 비등방성 식각인 다음에 상기 하층 감광막(3)을 RIE(reactive ion etching) 장비로 O₂와 Ar 및 N₂가스 조합을 이용하여 식각 챔버(chamber)의 압력을 5m torr이하로 유지시켜 식각하는 제3공정, 및 상기 제3공정 후에 BOE(buffer oxide etchant) 용액을 사용하여 상기 SOG막(4)을 습식 식각하는 제4공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 삼층 감광막 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정이 하층 감광막(3)과 상기 제2공정의 상층 감광막(5)의 두께는 각각 1 내지 2㎛와 0.1~3㎛이고, 상기 두감광막(3,5)을 트랙에서 30초 내지 3분간 90 내지 400℃에서 굽는 것을 특징으로 하는 삼층 감광막 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제2공정의 SOG막(4)은 0.1 내지 0.3㎛의 두께로 증착되어 90 내지 400℃로 트랙에서 30초 내지 3분간 굽는 것을 특징으로 하는 삼층 감광막 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제3공정의 상기 SOG막(4)의 습식식각은 상기 하층 감광막(3) 아래의 물질이 금속 경우 NH₄F와 HF 비율이 50대 1이상인 BOE용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 삼층 감광막 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.