KR20070013971A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 폴리실리콘 또는 SiO2에 대한 Al203 선택성을 가지는 에칭방법을 제공하는 것이다.
Al2O3로 이루어지는 층간 절연막(203)과 상기 Al2O3에 접하는 폴리실리콘층(202, 204) 또는 SiO2(205, 207)를 가지는 시료를 플라즈마처리장치를 사용하여 에칭처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, Al2O3(203)의 에칭처리를, BCL3과, Ar과, CH4 또는 He의 혼합가스를 사용하여 행한다. 이때 혼합가스에 Cl2를 첨가할 수 있고, 시료에 고주파 바이어스전압을 시간 변조하여 인가한다. 또한 시료의 온도를 100℃ 내지 200℃로 유지한다.

Description

반도체장치의 제조방법{SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}
도 1은 본 발명을 적용한 플라즈마 에칭장치의 개략 구성을 설명하는 도,
도 2는 본 발명에 관한 처리공정을 설명하는 도,
도 3은 본 발명에 관한 처리방법에 있어서의 CH4 함유비와 알루미나 선택비 및 바이어스에 시간변조를 행하였을 때의 효과를 설명하는 도,
도 4는 알루미나를 가지는 플래시 디바이스의 구조를 설명하는 단면도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 안테나 102 : UHF 투과판
103 : 솔레노이드 코일 104 : 플라즈마
105 : 반도체웨이퍼(시료) 106 : 직류전원
107 : 처리대 108 : 고주파 전원
201 : 하드웨어 마스크
202 : 컨트롤 게이트(제 2 폴리실리콘층)
203 : 층간 절연막(Al2O3)
204 : 플로팅 게이트(제 1 폴리실리콘층)
205 : 밑바탕 절연막(SiO2) 206 : 실리콘 기판
207 : 소자분리 트렌치(SiO2)
본 발명은 알루미나(Al2O3)의 밑바탕에 폴리실리콘 또는 SiO2를 가지고, 그들에 대하여 선택성을 필요로 하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
반도체장치의 고도의 미세화에 따라 High-K의 재료로서 Al2O3가 사용되고 있다. 특히 플래시 디바이스에 있어서는, 컨트롤 게이트와 플로팅 게이트 사이의 절연막으로서 High-K의 재료로서 Al2O3가 사용되고 있다. 이 2개의 게이트는 각각 폴리실리콘으로 구성되어 있고, 소자 분리구조를 가지고 있다. 이와 같은 디바이스의 제조에 있어서, 폴리실리콘과 Al2O3를 에칭하기 위해서는 플로팅 게이트와 소자분리에 의한 단차구조가 있기 때문에, 폴리실리콘과 Al2O3에 대하여 선택성이 필요하게 된다.
종래 상기 2개의 게이트 사이의 절연막은 ONO으로 구성되고, CF계의 가스로 에칭하고 있었으나, 디바이스의 고집적화나 고속화에 따라, 보다 유전율이 높은 절연막이 요구되게 되어 High-K재로 이동하고 있다.
즉, 도 4에 나타내는 바와 같이 플래시 디바이스의 구조는, SiO2로 이루어지 는 소자분리 트렌치(207)가 설치된 실리콘 기판(206)상에 SiO2로 이루어지는 밑바탕 절연막(205)을 형성하고, 그 위에 제 1 폴리실리콘층(204)을 형성하여, 제 1 폴리실리콘층(204)을 소자분리 트렌치(207)의 표면 및 밑바탕 절연막(205)상까지 에칭하여 플로팅 게이트를 형성하고, 그 위에 Al2O3로 이루어지는 층간 절연막(203)을 형성한 후, 컨트롤 게이트인 제 2 폴리실리콘층(202)을 형성하고, 그 위에 하드 마스크(201)를 형성한 후, 에칭처리하여 밑바탕 절연막상에 플래시 디바이스용 웨이퍼(시료)를 형성하고 있다.
도 4의 A-A단면에서는, 제 2 폴리실리콘층(202)이 소자분리 트렌치(207)상에 접하는 층간 절연막(203)까지 도달하여 있고, B-B 단면에서는 제 2 폴리실리콘층(202)은 밑바탕 절연막(205) 및 제 1 폴리실리콘층(204)상의 층간 절연막(203)에 접하고 있다.
따라서, B-B단면에서의 에칭은, 제 2 폴리실리콘층(202)과 Al2O3로 이루어지는 층간 절연막(203)과의 선택성이 필요하게 된다.
한편, 콘택트홀내의 알루미나 퇴적물의 제거에 BCl3를 함유하는 가스를 사용하는 것은 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
또, PZT를 BCl3 또는 Ar로 에칭하고, 고온에서 하드 마스크와의 선택비를 향상시키는 것도 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
Al2O3의 에칭에는, Cl2나 BCl3를 함유하는 가스를 사용하는 것이 일반적이다. 그러나 이 종류의 가스는 폴리실리콘이나 SiO2에 대한 선택성이 낮고, 단차부의 Al2O3를 제거하는 사이에 제 1 폴리실리콘층(204)과 그 밑의 밑바탕 절연층(게이트 산화막)(205)이 에칭된다는 문제가 있다.
[특허문헌 1]
일본국 특개평5-160084호 공보
[특허문헌 2]
일본국 특개2003-318371호 공보
본 발명은 폴리실리콘 또는 SiO2에 대한 Al2O3 선택성을 가지는 에칭방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 Al2O3의 밑바탕에 폴리실리콘 또는 SiO2를 가지는 반도체 디바이스의 제조방법에 있어서, Al2O3의 에칭에 BCl3와 Ar 및 CH4의 혼합가스를 사용하여 에칭한다.
또한, 본 발명은 상기 혼합가스에 Cl2가스를 더 첨가할 수 있고, 또 상기 혼합가스 Ar 대신에 He를 사용할 수 있다.
또한 이 에칭에 있어서 시간변조함으로써 바이어스를 인가할 수 있다. 또 100∼200℃의 고온으로 에칭하여도 되고, 폴리실리콘과 Al2O3의 에칭으로 챔버를 구 분하여 사용하여도 좋다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, Al2O3로 이루어지는 층간 절연막과 그 Al2O3에 접하는 폴리실리콘 또는 SiO2를 가지는 시료를 플라즈마처리장치를 사용하여 에칭처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 층간 절연막의 에칭처리를 BCl3와, Ar과, CH4 또는 He의 혼합가스를 사용하여 행하는 것을 특징으로 한다. 또 상기 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 혼합가스에 Cl2를 첨가할 수 있다.
본 발명은 상기 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 층간 절연막의 에칭처리에 있어서, 상기 시료에 인가하는 고주파 바이어스전압을 시간 변조한다. 또 상기 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 층간 절연막의 에칭처리에 있어서 상기 시료의 온도를 100℃ 내지 200℃로 유지한다. 또한 이 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 층간 절연막의 에칭처리와 폴리실리콘 또는 SiO2층의 에칭처리를 다른 챔버에서 행한다.
본 발명은, Al2O3로 이루어지는 층간 절연막과 상기 Al2O3에 접하는 폴리실리콘 또는 SiO2를 가지는 시료를 플라즈마처리장치를 사용하여 에칭처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 층간 절연막의 에칭처리를, BCl3와, Ar와, CH4 또는 He의 혼합가스를 사용하여 행하도록 하였다.
본 발명에 의한 플라즈마처리장치를 사용한 반도체장치의 제조방법을 설명한 다. 도 1을 사용하여 본 발명이 적용되는 플라즈마처리장치의 플라즈마생성부에 관한 상세를 설명한다. 예로서 플라즈마를 생성하는 수단으로서는, UHF파와 자계를 이용하기로 한다. UHF 전원으로부터 안테나(101)를 통하여 입사하고, UHF 투과판(102)을 통과하여 처리실내에 도달한 UHF 파는, 처리실을 둘러 싸도록 배치된 실리콘 코일(103)이 발생하는 자계와의 작용에 의하여 프로세스 가스를 수반하고, ECR(Electron cycrotrton Resonance : 전자사이클로트론공명)을 야기하여 고밀도 플라즈마(104)가 처리실내에 발생한다.
고밀도 플라즈마가 처리실내에 발생한 후, 처리대상이 되는 웨이퍼(시료) (105)는 정전흡착 전원(108)에 의하여 직류전압이 인가된 처리대(107)상에 정전흡착된다. 또 이 처리대(107)는 고주파 전원(106)과도 접속되어 있고, 고주파 바이어스전압이 처리대에 인가되어, 고밀도 플라즈마 중에 국재하는 이온에 시료방향측(하향)으로 가속전위를 줌으로써 프로세스처리가 개시된다.
또, 프로세스처리 중은, 진공펌프, 터보분자 펌프 및 상기 터보분자 펌프와 처리실과의 사이에 설치한 배리어블 밸브로 구성되는 배기구조에 의하여 처리실내의 압력은 압력조절 가능하게 된다.
도 2를 사용하여, 도 1의 에칭장치를 사용한 본 발명에 관한 반도체의 제조방법을 설명한다. 도 2의 좌측도는 도 4의 A-A 단면이고, 도 2의 우측도는 도 4의 B-B 단면으로 처리과정을 설명하는 도면이다. 본 발명에 관한 에칭처리의 대상이되는 웨이퍼는, 도 4에 나타낸 웨이퍼이고, 상층으로부터 순서대로 패터닝된 하드 마스크(201)와, 컨트롤 게이트인 제 2 폴리실리콘층(202)과, Al2O3로 이루어지는 층간 절연막(203)과, 플로팅 게이트인 제 1 폴리실리콘층(204)과, SiO2로 이루어지는 밑바탕 절연막(205)과, 예를 들면 SiO2가 매립된 소자분리 트렌치(207)가 형성된 실리콘 기판(206)으로 구성된다[도 2(a)].
도 1에 나타내는 플라즈마처리장치를 사용하여 패터닝된 하드마스크(201)를 마스크로 하여 제 2 폴리실리콘층(202)을 Cl2와 HBr과 O2의 혼합가스에 의해 에칭한다[도 2(b)]. 이때 B 단면에서는 제 2 폴리실리콘층(202)의 두께는 얇으나 A 단면의 제 2 폴리실리콘층(202)의 두께는 두껍기 때문에, 층간 절연막(203)에 비하여 폴리실리콘의 선택성이 높은 에칭이 필요하게 된다.
이어서, 층간 절연막(203)을 BCl3와 CH4와 Ar의 혼합가스를 사용하여 에칭한다[도 2(c)]. 이때, Al2O3의 밑바탕으로서의 폴리실리콘이나 SiO2에 대하여 Al2O3의 선택성이 높은 에칭이 필요하게 된다.
또한 Cl2와 HBr과 O2의 혼합가스로 플로팅 게이트를 구성하는 제 1 폴리실리콘층(204)을 에칭하고, 그후 HBr과 O2의 혼합가스로 오버에칭하였다[도 2(d)].
도 2(c)의 처리에서는 Al에 대해서는 염소(Cl2)로 에칭하고, Al2O3에 대해서는 B로 Al-O의 결합을 끊고, Al-Cl로 에칭할 수 있는 BCl3를 사용하였다.
BCl3 단독으로는 폴리실리콘의 에칭속도는 Al2O3의 2배이며, SiO2의 1.5배이었 다.
BCl3와 Ar의 혼합가스로 BCl3의 비율이 30%인 혼합가스를 사용하고, 압력 0.8 Pa에 있어서의 에칭속도는 Al2O3 = 29.8 nm/min, 폴리실리콘 = 44.9 nm/min, SiO2 = 37.3 nm/min 이었다.
본 발명에서는, BCl3와 Ar의 혼합가스에 CH4를 첨가하여, 혼합가스에 대한 CH4의 비율을 4%로 한 혼합가스를 사용하였다(BCl3 : Ar : CH4 = 30 : 66 : 4). BCl3에 Ar 및 CH4를 첨가함으로써, Al2O3와 폴리실리콘 및 SiO2의 각각의 에칭속도가 저하되나, 폴리실리콘의 에칭속도의 저하가, Al2O3의 에칭속도의 저하를 웃돌기 때문에 Al2O3의 폴리실리콘에 대한 선택성이 향상된다.
CH4 첨가비와, Al2O3의 폴리실리콘에 대한 선택비의 관계 및 Al2O3의 SiO2에 대한 선택비의 관계는, 도 3과 같았다.
즉, BCl3와 Ar과 CH4의 혼합가스 중, BCl3가 30%, CH4가 2.7% 또는 3.4% 또는 3.6% 이고, 나머지 Ar일 때, Al2O3의 폴리실리콘에 대한 선택비는 각각 0.7, 0.8, 1.5이었다. 마찬가지로 BCl3와 Ar과 CH4의 혼합가스 중, BCl3가 30%, CH4가 2.7% 또는 3.4% 또는 3.6% 이고, 나머지 Ar일 때, Al2O3의 SiO2에 대한 선택비는 각각 0.8, 0.9, 1.0이었다.
즉, CH4가 3.6% 이상이면, Al2O3의 폴리실리콘에 대한 선택성은 커지고, Al2O3의 SiO2에 대한 선택성은 대략 같아진다. 이와 같이, CH4의 첨가비가 2.7% 정도일 때에 비하여 3.6%일 때에는 Al2O3의 폴리실리콘 또는 SiO2에 대한 선택비가 향상된다.
또한, RF 바이어스전압을 시간변조하여 시료에 인가함으로써, Al2O3의 폴리실리콘 및 SiO2에 대한 선택비를 향상시킬 수 있다. 시간 변조한 바이어스전압의 시료에 대한 인가조건은, 예를 들면 바이어스주파수 400 KHz로 출력 50 kW, 인가시간 5 × 10-4초, 비인가시간 5 × 10-4초의 주기이며, 시간변조없음에서는 바이어스전압을 연속 인가하였다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 상기 조건으로 CH4를 3.6% 첨가한 경우, RF 바이어스전압을 시간변조하여 인가할 때에는, 폴리실리콘에 대한 선택비는 RF 바이어스 시간변조있음에서 2.9에 대하여, 시간변조없음에서 1.5이고, SiO2에 대한 선택비는 RF 바이어스 시간변조있음에서 1.3에 대하여, 시간변조없음에서 1.0이었다. 이와 같이, 바이어스전압을 시간변조하여 인가함으로써, Al2O3의 폴리실리콘 또는 SiO2에 대한 선택비가 시간변조하지 않는 경우에 비하여 크게 향상되어 있다.
그러나, 상기의 조건으로 에칭하면, 측벽에 대한 CH의 퇴적이 많기 때문에, 에칭형상은 순테이퍼형상이 되어, 이후의 에칭처리에 부적합함을 주는 것이 염려된 다. 이 에칭형상의 부적합함은 웨이퍼온도를 고온으로 하여 처리함으로써 선택비를 희생하지 않고 측벽에 대한 퇴적물을 감소시킬 수 있어, 수직으로 에칭하는 것이 가능해진다.
에칭형상에 대한 온도의 기여에 대하여 설명한다. 폴리실리콘에 대한 Al2O3의 선택비는, 웨이퍼온도가 50℃인 경우 0.8이고, 150℃인 경우 1.0이다. 또 SiO2에 대한 Al2O3의 선택비는, 웨이퍼온도가 50℃인 경우 0.8이고, 150℃인 경우 0.9이다. 그리고 에칭형상은 50℃일 때 상승각도 50°인 데 대하여, 150℃일 때 상승각도 88°로 대략 수직으로 에칭할 수 있다. 이와 같이 웨이퍼온도를 150℃로 올림으로써 Al2O3의 폴리실리콘 또는 SiO2에 대한 선택성을 희생하지 않고 에칭의 수직성을 유지할 수 있다.
상기한 바와 같이 폴리실리콘층(202, 204)에 대해서는 저온(50℃) 또는 고온(100℃ 내지 200℃)의 어느 것으로도 에칭이 가능하나, Al2O3막(203)의 경우에는, 수직성을 유지하기 위하여 고온(100℃ 내지 200℃)인 것이 양호한 결과를 얻을 수 있기 때문에, 폴리실리콘막과 Al2O3막의 에칭과정을 다른 챔버로 옮겨 처리함으로써 더욱 양호한 결과를 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, BCl3가스에 Ar과 CH4를 첨가한 혼합가스를 사용하여 Al2O3를 에칭함으로써, 폴리실리콘이나 SiO2를 충분히 남기고 층간 절연막을 제거하는 것 이 가능하게 된다.
BCl3가스에 Ar과 CH4를 첨가한 혼합가스를 사용하여 층간 절연막을 에칭함으로써, 측벽 퇴적물이 증가하여 순테이퍼형상이 되기 쉬우나, 시료를 고온으로 함으로써 Al2O3의 폴리실리콘이나 SiO2에 대한 선택성을 유지한 채로 측벽 퇴적물을 감소시켜 층간 절연막의 가공형상을 개선할 수 있다.

Claims (5)

  1. Al2O3로 이루어지는 층간 절연막과 상기 Al2O3에 접하는 폴리실리콘층 또는 SiO2를 가지는 시료를 플라즈마처리장치를 사용하여 에칭처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서,
    상기 층간 절연막의 에칭처리를, BCl3와, Ar과, CH4 또는 He의 혼합가스를 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 혼합가스에 Cl2를 첨가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 층간 절연막의 에칭처리에 있어서, 상기 시료에 인가하는 고주파 바이어스전압을 시간 변조하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 층간 절연막의 에칭처리에 있어서, 상기 시료의 온도를 100℃ 내지 200℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 층간 절연막의 에칭처리에 있어서, 상기 시료의 온도를 100℃ 내지 200℃로 유지함과 동시에, 상기 층간 절연막의 에칭처리와 폴리실리콘 또는 SiO2층의 에칭처리를 다른 챔버에서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
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