KR980006092A - 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 낮은 트렌치 분리 공정에서 고선택비의 등방성 식각을 이용하여 소자 분리용 산화막의 증착특성과 토폴로지를 개선하고 평탄화공정에서 식각 선택비의 패턴 의존성에 기인된 소자분리용 산화막의 높이차이도 제거하여 반도체 소자의 제조수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있고 고접적 반도체 소자의 제조도 가능하게 한다.

Description

반도체 소자의 소자분리막 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2a도 내지 제2f도는 본 발명의 기술에 따른 반도체 소자의 소자분리막 제조공정단계를 도시한 단면도.

Claims (6)

1. 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 실리콘 산화막을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 산화막 상부에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘층 상부에 감광막을 소정두께로 증착한후, 식각하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로하여 하부의 폴리실리콘층을 비등방성 식각한 후, 고선택비의 등방성 식각을 연속적으로 실시하는 단계와, 비등방성 식각 조건으로 하부의 실리콘 산화막과 실리콘 기판을 차례로 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와, 상부의 잔류 감광막을 제거하고 전체구조 상부에 소자분리용 산화막을 소정두께로 증착하는 단계와, 상기 소자분리용 산화막을 하부의 폴리실리콘층이 드러날때까지 전면식각한 후 연속적으로 고선택비의 등방성 식각으로 상기 폴리실리콘층을 건식식각하여 제거하는 단계와, 상기 노출된 실리콘 산화막을 식각하고 실리콘 표면을 크리닝하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
2. 제1항에 있어서 상기 고선택비의 등방성 식각목표는 트랜지스터 절연막 형성전의 크리닝 과정에서 식각되는 소자 분리용 산화막 두께 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법,.
3. 제1항에 있어서 상기 고선택비의 등방성 식각은 습식 식각 또는 건식 식각에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
4. 제3항에 있어서 상기 고선택비의 등방성 건식식각 조건은 그 직전의 비등방성 건식 식각 조건에서 기체종류 혹은 식각압력 혹은 플라즈마 발생 전력 등을 변화시킨 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
5. 제1항에 있어서 상기 등방성 식각의 하부층에 대한 선택비는 등방성 식각에 의해 하부의 실리콘이 손상받지 않을정도의 높이 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
6. 제1항에 있어서 상기 폴리실리콘층 식각이 고선택비의 등방성 식각으로하여 소자 분리 산화막의 최종두께를 균일하게 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.