KR960002742A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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KR960002742A
KR960002742A KR1019940014576A KR19940014576A KR960002742A KR 960002742 A KR960002742 A KR 960002742A KR 1019940014576 A KR1019940014576 A KR 1019940014576A KR 19940014576 A KR19940014576 A KR 19940014576A KR 960002742 A KR960002742 A KR 960002742A
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trench
forming
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KR1019940014576A
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김승준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 공정시 반도체소자를 평탄화시켜 후속공정을 용이하게 함과 동시에 높은 전압 인가시에도 견딜 수 있어 고집적화를 가능하게 하는 반도체소자의 제조하는데 있어서, 마스크 공정으로 트렌치를 형성하고 고농도의 불순물이온을 주입한 것과 같은 효과를 일으키도록 상기 트렌치의 저부면을 손상시키고 손상된 반도체기판과 손상되지 않은 반도체기판의 식각 속도 차이를 이용하여 소자분리 산화막을 형성함으로써 반도체소자의 접합 브레이크다운 전압을 증가시켜 높은 전압 인가시에도 견딜 수 있어 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.

Description

반도체소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 산화막 및 질화막을 순차적으로 증착하고 그 상부에 감광막패턴을 형성하고 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 질화막, 산화막 및 일정두께의 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성한 다음, 별도의 공정으로 상기 트렌치의 저부면을 손상시키고 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 손상된 반도체기판과 손상되지 않은 반도체기판의 식각속도 차이를 이용하여 열공정으로 소자분리 산화막을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 제2산화막을 증착하고 식각공정으로 평탄화시키는 공정을 포함하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 별도의 공정은 고전압, 고압력의 식각장비에서 불활성기체를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014576A 1994-06-24 1994-06-24 반도체소자의 제조방법 KR960002742A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210130949A (ko) * 2020-04-23 2021-11-02 이석도 콘크리트 시공용 발열체 조성물 및 이를 이용하여 제조된 철근 콘크리트 구조물 시공용 스페이서
KR20220074413A (ko) * 2020-11-27 2022-06-03 이석도 동절기 콘크리트 타설용 발열체 조성물

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