KR19980068094A - 반도체 소자의 격리영역 형성방법 - Google Patents

Abstract

산화막을 이용하여 바이폴라 소자를 격리시키기에 알맞은 격리영역 형성방법에 관한 것으로 이와 같은 격리영역 형성방법은 반도체 기판에 메몰층 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 소정영역에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막을 패터닝하여 격리막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판에 에피층을 형성하는 공정을 포함하여 형성한다.

Description

반도체 소자의 격리영역 형성방법

본 발명은 반도체 소자에 대한 것으로 특히, 산화막을 이용하여 반도체 소자를 격리시키기에 알맞은 격리영역 형성방법에 관한 것이다.

첨부 도면을 참조하여 종래 격리영역 형성방법을 설명하면 다음과 같다.

도 1a 내지 1c는 종래 반도체 소자의 격리영역 형성방법을 나타낸 공정단면도이다.

종래 격리영역 형성방법은 바이폴라 트랜지스터를 형성할 때 사용되는 것으로 도 1a에 도시한 바와 같이 반도체 기판(1)의 소정영역에 메몰층(2)을 형성한 후 메몰층(2)이 형성된 반도체 기판(1)에 제 1 산화막(3)을 증착한다.

이후에 사진 식각으로 메몰층(2) 양측에 격리영역을 형성시킬 부분의 제 1 산화막(3)만 남겨두고 제 1 산화막(3)을 제거한다.

제 1 산화막(3)이 제거되어 드러난 반도체 기판(1)에 고농도 P형 이온을 주입하여 제 1 격리영역(4)을 형성한다.

도 1b에 도시한 바와 같이 남은 제 1 산화막(3)을 제거하고 전면에 에피층(5)을 성장시킨다.

도 1c에 도시한 바와 같이 전면에 제 2 산화막(6)을 증착시킨후 상기 제 1 격리영역(4) 상부의 제 2 산화막(6)을 이방성 식각하여 제거한다.

그리고 P형 불순물 이온을 상기 에피층(5)에 주입하여 제 2 격리영역(7)을 형성한다. 이때 제 2 격리영역(7)은 에피층(6)과 같은 높이를 갖고 형성된다.

다음에 반도체 기판(1)의 전면에 P형으로 도핑된 반도체층(8)을 형성한다.

상기와 같은 종래의 반도체 소자의 격리영역 형성방법은 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 격리영역을 두 번의 과정을 거쳐서 형성하므로 공정이 복잡하여 생산성이 떨어진다.

둘째, 에피층 형성시 P형으로 형성된 제 1 격리영역에 의하여 에피층에 결정결함을 유발할 수 있어서 소자의 신뢰성이 떨어진다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 공정을 단순화하고 신뢰성이 있는 반도체 소자의 격리영역 형성방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

도 1a 내지 1c는 종래 반도체 소자의 격리영역 형성방법을 나타낸 공정단면도

도 2a 내지 2c는 본 발명 반도체 소자의 격리영역 형성방법을 나타낸 공정단면도

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

11: 반도체 기판12: 메몰층

13: 산화막14: 격리산화막

15: 에피층

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 소자의 격리영역 형성방법은 반도체 기판에 메몰층 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 소정영역에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막을 패터닝하여 격리막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판에 에피층을 형성하는 공정을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 한다.

첨부 도면을 참조하여 본 발명 반도체 소자의 격리영역 형성방법을 설명하면 다음과 같다.

도 2a 내지 2c는 본 발명 반도체 소자의 격리영역 형성방법을 나타낸 공정단면도이다.

본 발명은 바이폴라 트랜지스터의 격리영역을 형성하기 위한 방법에 대한 것으로 도 2a에 도시한 바와 같이 반도체 기판(11)의 소정 영역에 이온 주입으로 메몰층(12)을 형성한다.

다음에 반도체 기판(11)에 산화막(13)을 증착한다. 이때 산화막(13)은 습식 산화막으로 형성한다.

도 2b에 도시한 바와 같이 메몰층(12) 양측의 소정영역을 남겨두고 플라즈마를 이용한 이방성 식각으로 산화막(13)을 제거하여 격리산화막(14)을 형성한다.

도 2c에 도시한 바와 같이 대기압 상태에서 반도체 기판(11) 전면에 에피층(15)을 형성한다. 이때 에피층(15 )은 상기 격리산화막(14)과 같은 높이를 갖고 형성된다.

상기와 같은 본 발명 반도체 소자의 격리영역 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다.

공정이 단순화 되어 생산성을 높일 수 있으며, 정확하고 미세한 격리영역의 형성이 가능하므로 미세(sub-micro) 공정에 적용할 수가 있다.

Claims (4)

1. 반도체 기판에 메몰층 형성하는 공정과,

   상기 반도체 기판의 소정영역에 산화막을 형성하는 공정과,

   상기 산화막을 식각하여 격리막을 형성하는 공정과,

   상기 반도체 기판에 에피층을 형성하는 공정을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리영역 형성방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 산화막은 습식산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리영역 형성방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 산화막의 식각은 플라즈마를 이용한 이방성 식각으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리영역 형성방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 에피층은 대기압 상태에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리영역 형성방법.