KR950021401A - 트렌치형 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 특히 트렌치를 이용하여 소자분리막을 형성할때 트렌치 내에 있는 질화막에 의해 스트레스가 발생되어 소자분리막의 가장자리가 들뜨는 현상을 방지할 수 있는 트렌치형 소자분리막 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의해 트렌치형 소자분리막을 제조하는 공정을 도시한 단면도이다.
Claims (2)
- 트렌치형 소자분리막 제조방법에 있어서, 반도체 기판의 예정된 부분의 일정깊이를 식각하여 소자분리용 트렌치를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 제1산화막, 제1폴리실리콘층, 질화막, 제2폴리실리콘층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 제2폴리실리콘층 상부에 제2산화막을 두껍게 형성하여 트렌치상의 요홈을 완전히 채우는 단계와, 소자분리막 마스크를 이용한 식각공정으로 트렌치 주변에 있는 제2산화막, 제2폴리실리콘층, 질화막, 제1폴리실리콘층, 제1산화막까지 각각 제거하여 트렌치상에 제1산화막, 제1폴리실리콘층, 질화막, 제2폴리실리콘층, 제2산화막의 패턴으로 이루어진 소자분리막을 형성하는 것을 특징으로하는 트렌치형 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 TEOS막을 포함하는 트렌치형 소자분리막 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019930031886A KR100256812B1 (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 트렌치형 소자분리막 제조방법 |
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KR1019930031886A KR100256812B1 (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 트렌치형 소자분리막 제조방법 |
Publications (2)
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KR950021401A true KR950021401A (ko) | 1995-07-26 |
KR100256812B1 KR100256812B1 (ko) | 2000-05-15 |
Family
ID=19374803
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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KR (1) | KR100256812B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100732737B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61102722A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031886A patent/KR100256812B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100732737B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자분리막 형성방법 |
Also Published As
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KR100256812B1 (ko) | 2000-05-15 |
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