KR950021402A - 트렌치형 소자분리막 형성방법 - Google Patents
트렌치형 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 트렌치 측벽에 제1폴리실리콘막, 질화막, 제2폴리실리콘막으로 된 다층의 스페이서를 형성하고, 트렌치 상에 산화막을 채워서 트렌치형 소자분리막을 형성하는 것이다. 그로인하여 활성영역을 증대시키고 소자간의 절연효과를 증대시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 소자분리막을 제조하는 공정단계를 도시한 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 실리콘기판 일정 깊이의 트렌치를 형성하고 채널스토퍼 이온을 주입하는 단계와, 제1산화막, 제1폴리실리콘막, 질화막, 제2폴리실리콘막을 순차적으로 적층하는 단계와, 비등방성 식각으로 제2폴리실리콘막,질화막, 제1폴리실리콘막을 식각하여 트렌치 측벽에만 다층의 스페이서를 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제 2산화막을 형성한 다음 사진식각법으로 예정된 부분의 제2산화막을 제거하여 트렌치 상에 다층의 스페이서와 제2산화막으로 이루어지는 트렌치형 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 채널스토퍼 이온주입은 트렌치를 형성한 후 또는 트렌치 측벽에 다층의 스페이서를 형성한 후 실시하는 것을 포함하는 트렌치형 소자분리막 형성방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031887A KR950021402A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 트렌치형 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031887A KR950021402A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 트렌치형 소자분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021402A true KR950021402A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031887A KR950021402A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 트렌치형 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021402A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475050B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 스페이서로보호되는박막의질화막라이너를갖는트렌치소자분리방법및구조 |
| KR100492790B1 (ko) * | 1997-06-28 | 2005-08-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리절연막형성방법 |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031887A patent/KR950021402A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100492790B1 (ko) * | 1997-06-28 | 2005-08-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의소자분리절연막형성방법 |
| KR100475050B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 스페이서로보호되는박막의질화막라이너를갖는트렌치소자분리방법및구조 |
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