KR960026558A - 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960026558A KR960026558A KR1019940035742A KR19940035742A KR960026558A KR 960026558 A KR960026558 A KR 960026558A KR 1019940035742 A KR1019940035742 A KR 1019940035742A KR 19940035742 A KR19940035742 A KR 19940035742A KR 960026558 A KR960026558 A KR 960026558A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion implantation
- semiconductor substrate
- film
- oxygen
- device isolation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Abstract
본 발명은 반도체 기판의 예정된 활성영역 상에 제1이온주입장벽막을 패터닝 하는 단계; 노출된 반도체 기판 표면으로 부터 일정한 깊이에 산소이온이 주입되도록 제1산소이온주입을 실시하는 단계; 제1이온주입장벽막 측벽에 스페이서 제2이온주입장벽막을 형성하는 단계; 노출된 반도체 기판 표면에 산소이온이 주입되도록 제2산소이온주입을 실시하는 단계; 열처리 공정을 통하여 상기 제1 및 제2산소이온주입된 반도체 기판에 소자분리용 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법에 관한 것으로, 기존의 노광장비로서 묘사할 수 있는 넓이보다 더 작은면적에서 버즈비크와 단차 발생DL 방지된 소자분리막을 형성하며, 소자분리거리가 충분하고 소오스드레인의 접합 커패시턴스를 감소시켜 소자의 특성 향상 및 소자의 초고집적화를 앞당기는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 일실시예에 따른 필드산화막 형성 공정 단면도, 제3A도 내지 제3B도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 필드산화막 형성 공정 단면도.
Claims (7)
- 반도체 기판의 예정된 활성영역 상에 제1이온주입장벽막을 패터닝 하는 단계; 노출된 반도체 기판 표면으로 부터 일정한 깊이에 산소이온이 주입되도록 제1산소이온주입을 실시하는 단계; 제1이온주입장벽막 측벽에 스페이서 제2이온주입장벽막을 형성하는 단계; 노출된 반도체 기판 표면에 산소이온이 주입되도록 제2산소이온주입을 실시하는 단계;열처리 공정을 통하여 상기 제1 및 제2산소이온주입된 반도체 기판에 소자분리용 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산소이온주입은 이온주입방향을 반도체 기판과 수직으로 하여 이온주입하는 것을특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산소이온주입은 이온주입방향을 반도체 기판과 수직으로 하여 이온주입하는 것을특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 스페이서 제2이온주입장벽막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 제조방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 제1이온주입장벽막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 제조방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 제1이온주입장벽막은 패드산화막과 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 제조방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 제1이온주입장벽막은 패드산화막과 패드폴리실리콘막 및 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035742A KR0143709B1 (ko) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035742A KR0143709B1 (ko) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026558A true KR960026558A (ko) | 1996-07-22 |
| KR0143709B1 KR0143709B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19402750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035742A KR0143709B1 (ko) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0143709B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763333B1 (ko) | 2006-05-16 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
-
1994
- 1994-12-21 KR KR1019940035742A patent/KR0143709B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0143709B1 (ko) | 1998-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950021786A (ko) | 모스펫(mosfet) 및 그 제조방법 | |
| KR940016938A (ko) | 모스(mos) 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR960026558A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR100913323B1 (ko) | 반도체 장치의 트렌지스터 형성 방법 | |
| KR960026459A (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
| US6936517B2 (en) | Method for fabricating transistor of semiconductor device | |
| KR100379534B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR960009216A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR940010387A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950021743A (ko) | 반도체 소자의 모스펫 제조방법 | |
| KR960009015A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | |
| KR950021402A (ko) | 트렌치형 소자분리막 형성방법 | |
| KR980005893A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970008571A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970054453A (ko) | 모스형 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054268A (ko) | 반도체 에스 오 아이 소자의 제조방법 | |
| JPH10163490A (ja) | トランジスタの製造方法 | |
| KR950026026A (ko) | 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960005891A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950021745A (ko) | 반도체 장치의 모스형 전계효과 트랜지스터(mosfet) 제조방법 | |
| KR970003940A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960026973A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960009066A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960026554A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR19990060945A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100325 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |