KR950021743A - 반도체 소자의 모스펫 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 모스펫 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소장의 모스펫 제조방법에 관한 것으로 폴리실리콘층을 적층하고 이온주입을 실시하여 RTA의 열공정으로 실리콘 기판에 얕은 접합을 형성함으로서 숏 채널 효과를 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 방법에 따른 공정 단면도.
Claims (2)
- 반도체소자의 모스펫 제조방법에 있어서, 실리콘 기판상부에 폴리실리콘층을 적층하는 공정과, 이온주입을 실시하는 공정과, RTA방법으로 열처리하여 실리콘 기판에 이온주입영역을 형성하는 공정과, 폴리실리콘층을 제거하여 실리콘 기판에 얕은 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 모스펫 제조방법.
- 제1항에 있어서, 폴리실리콘층 대신 실리사이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 모스펫 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031858A KR950021743A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 모스펫 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031858A KR950021743A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 모스펫 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021743A true KR950021743A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031858A KR950021743A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체 소자의 모스펫 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021743A (ko) |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031858A patent/KR950021743A/ko not_active Application Discontinuation
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